A deposição de vapor químico (CVD) é uma técnica versátil utilizada para depositar películas finas e materiais em substratos através de reacções químicas entre precursores gasosos.
Explicação dos 3 principais tipos de deposição de vapor químico
1. Deposição química em fase vapor (CVD)
Este é um método fundamental em que a deposição ocorre através de decomposição térmica, síntese química ou reacções de transporte químico.
O processo envolve a difusão de gases reagentes para a superfície do substrato, a sua adsorção, a reação química para formar um depósito sólido e a remoção de subprodutos.
A CVD pode funcionar à pressão atmosférica ou sob baixo vácuo, permitindo a deposição de vários materiais, incluindo metais, cerâmicas e compostos.
Caracteriza-se pela sua capacidade de revestir uniformemente formas complexas e cavidades profundas, e pode produzir películas densas e de elevada pureza.
No entanto, as elevadas temperaturas típicas (850-1100°C) utilizadas na CVD podem limitar a sua aplicabilidade a determinados materiais de substrato.
2. Deposição de vapor químico enriquecida com plasma (PECVD)
Esta variante utiliza plasma para melhorar as reacções químicas, permitindo temperaturas de deposição mais baixas em comparação com a CVD normal.
A PECVD é crucial para aplicações que requerem camadas de passivação de alta qualidade ou máscaras de alta densidade.
A utilização de plasma aumenta as taxas de reação e pode melhorar a qualidade da película, tornando-a adequada para substratos mais sensíveis à temperatura.
3. Deposição em fase vapor por plasma químico com acoplamento indutivo (ICPCVD)
Embora não seja amplamente descrito no texto fornecido, a ICPCVD é outra forma avançada de CVD que utiliza um plasma indutivamente acoplado para conduzir as reacções químicas.
Este método pode oferecer um controlo preciso do processo de deposição e é particularmente eficaz para depositar películas finas a temperaturas mais baixas, à semelhança da PECVD.
Cada um destes tipos de CVD tem caraterísticas e aplicações específicas, adaptadas a diferentes necessidades industriais e de investigação.
A escolha do método CVD depende das propriedades necessárias da película, do material do substrato e das restrições do processo, tais como requisitos de temperatura e pureza.
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