Forno CVD e PECVD
Forno tubular CVD versátil fabricado pelo cliente Máquina CVD
Número do item : KT-CTF16
O preço varia com base em specs and customizations
- Temperatura máxima
- 1600 ℃
- Temperatura de trabalho constante
- 1550 ℃
- Diâmetro do tubo do forno
- 60 mm
- Zona de aquecimento
- 3x300 mm
- Taxa de aquecimento
- 0-10 ℃/min
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O forno tubular CVD é um forno de alta temperatura utilizado para processos de deposição química de vapor (CVD). Possui várias zonas de aquecimento que permitem um controlo preciso da temperatura, uma bomba de alto vácuo que cria um ambiente de vácuo para os processos CVD e uma estação de controlo de fluxo de massa de gás que mistura e introduz gases no tubo do forno. O forno é capaz de atingir temperaturas até 1200°C e tem uma taxa de vácuo final de 10^-7 torr. É normalmente utilizado na indústria de semicondutores para depositar películas finas de vários materiais, incluindo materiais isolantes, materiais metálicos e materiais de ligas metálicas.
Aplicações
Os fornos tubulares CVD multi-zona são amplamente utilizados em várias aplicações industriais e de investigação, incluindo:
- Deposição química de vapor (CVD)
- Difusão
- Tratamentos térmicos
- Fabrico de semicondutores
- Síntese de materiais
- Deposição de película fina
- Nanotecnologia
- Optoelectrónica
- Indústria aeroespacial
- Armazenamento de energia
- Engenharia biomédica
Características
O forno tubular CVD é um forno versátil e de elevado desempenho, ideal para uma variedade de aplicações na investigação e na indústria. Com as suas características e capacidades avançadas, este forno pode ajudá-lo a obter os melhores resultados possíveis no seu trabalho.
- Controlo de temperatura multi-zona: Este forno possui controlo de temperatura multi-zona, o que lhe permite controlar com precisão a temperatura em diferentes zonas do forno. Isto é essencial para aplicações em que é necessário criar um perfil ou gradiente de temperatura específico.
- Capacidade de alta temperatura: Este forno pode atingir temperaturas até 1200°C, o que o torna ideal para uma vasta gama de aplicações. Esta capacidade de alta temperatura permite efetuar processos exigentes, tais como CVD, difusão e outros tratamentos térmicos.
- Proteção contra vácuo ou atmosfera: Este forno pode ser utilizado sob vácuo ou proteção atmosférica, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações. Esta versatilidade torna possível a realização de processos que requerem uma atmosfera específica ou um ambiente de vácuo.
- Fácil de utilizar: Este forno é fácil de utilizar, com uma interface de fácil utilização e controlos intuitivos. Isto facilita a configuração e o funcionamento do forno, mesmo para utilizadores com pouca experiência.
- Design compacto: Este forno é compacto e leve, o que o torna fácil de instalar e utilizar numa variedade de espaços. Este design compacto torna-o ideal para utilização em laboratórios e noutros ambientes com limitações de espaço.
Princípio
A deposição química de vapor (CVD) é uma técnica de deposição de película fina na qual um material sólido é depositado num substrato a partir de uma fase gasosa. O substrato é aquecido a uma temperatura elevada e um gás contendo o material desejado é introduzido na câmara. O gás reage com o substrato e o material desejado é depositado na superfície.
Os fornos tubulares CVD são utilizados para os processos CVD. O forno consiste num tubo aquecido, que é normalmente feito de quartzo ou alumina. O substrato é colocado no interior do tubo e o gás é introduzido no tubo. O gás flui através do tubo e reage com o substrato, depositando o material desejado na superfície.
Os fornos tubulares CVD podem ser utilizados para depositar uma grande variedade de materiais, incluindo metais, óxidos, nitretos e carbonetos. O processo é utilizado no fabrico de semicondutores, células solares e outros dispositivos electrónicos.
Diferentes sistemas CVD de temperatura e configuração disponíveis
Vantagens
- Uniformidade de alta temperatura: O design de várias zonas garante que a temperatura seja distribuída uniformemente por todo o forno, o que é crítico para os processos de CVD.
- Controlo preciso da temperatura: O controlador digital de temperatura permite um controlo preciso da temperatura do forno, o que é essencial para resultados repetíveis e fiáveis.
- Capacidade de vácuo elevado: A taxa de vácuo máxima de 10^-7 torr permite a remoção de contaminantes da câmara de reação, o que é necessário para películas CVD de alta qualidade.
- Fácil de utilizar: A interface de fácil utilização torna o forno fácil de operar, mesmo para utilizadores inexperientes.
- Versátil: O forno pode ser utilizado para uma grande variedade de processos CVD, incluindo deposição de metais, processamento de semicondutores e síntese de nanotubos de carbono.
- Design compacto: O design compacto do forno torna-o ideal para utilização em laboratórios com limitações de espaço.
- Acessível: O forno tem um preço competitivo, o que faz dele uma excelente relação qualidade/preço.
Especificações técnicas
| Modelo do forno | KT-CTF16-60 |
| Temperatura máxima | 1600℃ |
| Temperatura de trabalho constante | 1550℃ |
| Material do tubo do forno | Tubo de Al2O3 de alta pureza |
| Diâmetro do tubo do forno | 60mm |
| Zona de aquecimento | 3x300mm |
| Material da câmara | Fibra policristalina de alumina |
| Elemento de aquecimento | Carbeto de silício |
| Taxa de aquecimento | 0-10℃/min |
| Par térmico | Tipo S |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital/controlador PID com ecrã tátil |
| Precisão do controlo de temperatura | ±1℃ |
| Unidade de controlo de precisão de gás | |
| Medidor de caudal | Medidor de caudal mássico MFC |
| Canais de gás | 3 canais |
| Caudal | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearidade | ±0,5% F.S. |
| Repetibilidade | ±0,2% F.S. |
| Tubagem e válvula | Aço inoxidável |
| Pressão máxima de funcionamento | 0,45MPa |
| Controlador do caudalímetro | Controlador de botão digital/controlador de ecrã tátil |
| Unidade de vácuo standard (opcional) | |
| Bomba de vácuo | Bomba de vácuo de palhetas rotativas |
| Caudal da bomba | 4L/S |
| Porta de aspiração de vácuo | KF25 |
| Medidor de vácuo | Vacuómetro de silicone Pirani/Resistance |
| Pressão de vácuo nominal | 10Pa |
| Unidade de alto vácuo (opcional) | |
| Bomba de vácuo | Bomba de palhetas rotativas+Bomba molecular |
| Caudal da bomba | 4L/S+110L/S |
| Porta de sucção de vácuo | KF25 |
| Medidor de vácuo | Medidor de vácuo composto |
| Pressão de vácuo nominal | 6x10-5Pa |
| As especificações e configurações acima podem ser personalizadas | |
Pacote padrão
| Não. | Descrição | Quantidade |
| 1 | Forno | 1 |
| 2 | Tubo de quartzo | 1 |
| 3 | Flange de vácuo | 2 |
| 4 | Bloco térmico do tubo | 2 |
| 5 | Gancho do bloco térmico do tubo | 1 |
| 6 | Luva resistente ao calor | 1 |
| 7 | Controlo preciso do gás | 1 |
| 8 | Unidade de vácuo | 1 |
| 9 | Manual de instruções | 1 |
Configuração opcional
- Deteção e monitorização de gases no tubo, como H2, O2, etc.
- Monitorização e registo independentes da temperatura do forno
- Porta de comunicação RS 485 para controlo remoto por PC e exportação de dados
- Controlo do caudal de alimentação de gases de inserção, como o caudalímetro de massa e o caudalímetro de flutuador
- Controlador de temperatura de ecrã tátil com funções versáteis e fáceis de utilizar
- Instalação de bombas de alto vácuo, como bomba de vácuo de palhetas, bomba molecular, bomba de difusão
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FAQ
O que é um forno tubular?
O forno tubular de laboratório é um forno tubular clássico de aquecimento externo de alta temperatura, também chamado de forno de aquecimento de parede quente.
De acordo com a temperatura de trabalho diferente, o material do tubo do forno geralmente pode ser tubos de quartzo transparentes, tubos de cerâmica de alumina de alta pureza e tubos de liga metálica de alta resistência.
Para atender a diferentes propósitos de pesquisa térmica, o forno de tubo pode ser projetado com várias zonas de aquecimento, de modo a ter um controle flexível do gradiente de temperatura na câmara de trabalho do tubo; o tubo do forno pode funcionar com um ambiente de trabalho de atmosfera controlada ou um ambiente de trabalho de alto vácuo.
O que é o forno CVD?
A deposição química de vapor (CVD) é uma tecnologia que utiliza várias fontes de energia, como aquecimento, excitação de plasma ou radiação de luz para reagir quimicamente substâncias químicas gasosas ou de vapor na fase gasosa ou na interface gás-sólido para formar depósitos sólidos no reator por meio de reação química. simplificando, duas ou mais matérias-primas gasosas são introduzidas em uma câmara de reação e, em seguida, reagem entre si para formar um novo material e depositá-lo na superfície do substrato.
O forno CVD é um sistema de forno combinado com unidade de forno tubular de alta temperatura, unidade de controle de gases e unidade de vácuo, é amplamente utilizado para experimentos e produção de preparação de material composto, processo microeletrônico, optoeletrônico semicondutor, utilização de energia solar, comunicação de fibra ótica, tecnologia de supercondutor, campo de revestimento protetor.
Como é que um forno tubular funciona?
Os elementos de aquecimento do forno tubular são colocados em torno da cavidade cilíndrica, o forno só pode aquecer as amostras na cavidade cilíndrica através de radiação térmica indireta, uma vez que o tubo do forno pode impedir que o material da amostra entre em contato com os elementos de aquecimento do forno e os materiais de isolamento, de modo que o forno tubular cria uma câmara de calor isolada e limpa e reduz os riscos de contaminação do material da amostra pelo forno.
Como é que o forno CVD funciona?
O sistema de forno CVD consiste em uma unidade de forno de tubo de alta temperatura, unidade de controle preciso da fonte de gás reagente, estação de bomba de vácuo e peças de montagem correspondentes.
A bomba de vácuo é para remover o ar do tubo de reação e garantir que não haja gases indesejados dentro do tubo de reação, depois que o forno de tubo aquecerá o tubo de reação a uma temperatura alvo, então a unidade de controle preciso da fonte de gás reagente pode introduzir gases diferentes com uma proporção definida no tubo do forno para a reação química, a deposição de vapor químico será formada no forno CVD.
Qual é o princípio básico da CVD?
Quais são os métodos utilizados para depositar películas finas?
Qual é a aplicação do forno tubular?
O forno tubular é usado principalmente em metalurgia, vidro, tratamento térmico, ânodo de lítio e materiais catódicos, novas energias, abrasivos e outras indústrias, e é um equipamento profissional para medir materiais sob certas condições de temperatura.
O forno tubular apresenta estrutura simples, operação fácil, controle fácil e produção contínua.
O forno tubular também é amplamente aplicado nos sistemas CVD (deposição de vapor químico) e CVD aprimorado por plasma.
Que gás é utilizado no processo CVD?
Existem tremendas fontes de gás que podem ser usadas no processo CVD, as reações químicas comuns do CVD incluem pirólise, fotólise, redução, oxidação, redox, de modo que os gases envolvidos nessas reações químicas podem ser usados no processo CVD.
Tomamos o crescimento de grafeno CVD como exemplo, os gases usados no processo CVD serão CH4, H2, O2 e N2.
Quais são os diferentes tipos de métodos CVD?
O que é o equipamento de deposição de película fina?
Quantos tipos diferentes de fornos tubulares?
O forno tubular pode trabalhar com diferentes funções mecânicas sem problemas, por isso existem muitos tipos diferentes de variações de forno tubular para diferentes fins experimentais, os fornos típicos são os seguintes:
- Forno de tubo horizontal
- Forno de tubo vertical
- Forno de tubo dividido
- Forno de tubo rotativo
- Forno de tubo basculante
- Forno de tubo deslizante
- Forno de tubo de aquecimento e resfriamento rápido
- Forno de tubo de alimentação e descarga contínua
Qual é a vantagem do sistema CVD?
- Pode ser produzida uma vasta gama de películas, películas metálicas, películas não metálicas e películas de ligas multicomponentes, conforme necessário. Ao mesmo tempo, pode preparar cristais de alta qualidade que são difíceis de obter por outros métodos, como GaN, BP, etc.
- A velocidade de formação da película é rápida, geralmente vários microns por minuto ou mesmo centenas de microns por minuto. É possível depositar simultaneamente grandes quantidades de revestimentos com composição uniforme, o que é incomparável com outros métodos de preparação de filmes, como epitaxia de fase líquida (LPE) e epitaxia de feixe molecular (MBE).
- As condições de trabalho são realizadas sob pressão normal ou condições de baixo vácuo, de modo que o revestimento tem boa difração, e as peças de trabalho com formas complexas podem ser uniformemente revestidas, o que é muito superior ao PVD.
- Devido à difusão mútua do gás de reação, do produto da reação e do substrato, pode obter-se um revestimento com boa força de adesão, o que é crucial para a preparação de películas reforçadas à superfície, tais como películas resistentes ao desgaste e anti-corrosão.
- Algumas películas crescem a uma temperatura muito inferior ao ponto de fusão do material da película. Sob a condição de crescimento a baixa temperatura, o gás de reação e a parede do reator e as impurezas contidas neles quase não reagem, de modo que um filme com alta pureza e boa cristalinidade pode ser obtido.
- A deposição química de vapor pode obter uma superfície de deposição lisa. Isso ocorre porque, em comparação com o LPE, a deposição de vapor químico (CVD) é realizada sob alta saturação, com alta taxa de nucleação, alta densidade de nucleação e distribuição uniforme em todo o plano, resultando em uma superfície lisa macroscópica. Ao mesmo tempo, na deposição de vapor químico, o caminho livre médio das moléculas (átomos) é muito maior do que o LPE, de modo que a distribuição espacial das moléculas é mais uniforme, o que favorece a formação de uma superfície de deposição lisa.
- Baixos danos por radiação, que é uma condição necessária para a fabricação de semicondutores de óxido metálico (MOS) e outros dispositivos
Quais são as vantagens da utilização de máquinas de deposição química de vapor?
O que é a tecnologia de deposição de película fina?
Quais são as vantagens de utilizar um forno tubular?
O que significa PECVD?
O PECVD é uma tecnologia que utiliza o plasma para ativar o gás de reação, promover a reação química na superfície do substrato ou no espaço próximo da superfície e gerar uma película sólida. O princípio básico da tecnologia de deposição de vapor químico de plasma é que, sob a ação do campo elétrico de RF ou DC, o gás de origem é ionizado para formar um plasma, o plasma de baixa temperatura é usado como fonte de energia, uma quantidade apropriada de gás de reação é introduzida e a descarga de plasma é usada para ativar o gás de reação e realizar a deposição de vapor químico.
De acordo com o método de geração de plasma, ele pode ser dividido em plasma de RF, plasma de DC e plasma de micro-ondas CVD, etc ...
Quais são as aplicações das máquinas de deposição química de vapor?
Quais são as vantagens da utilização de equipamento de deposição de películas finas?
Que precauções de segurança devem ser tomadas quando se utiliza um forno tubular?
Qual é a diferença entre CVD e PECVD?
A diferença entre o PECVD e a tecnologia CVD tradicional é que o plasma contém um grande número de electrões de alta energia, que podem fornecer a energia de ativação necessária no processo de deposição de vapor químico, alterando assim o modo de fornecimento de energia do sistema de reação. Uma vez que a temperatura dos electrões no plasma é tão elevada como 10000K, a colisão entre os electrões e as moléculas de gás pode promover a quebra de ligações químicas e a recombinação das moléculas de gás de reação para gerar grupos químicos mais activos, enquanto todo o sistema de reação mantém uma temperatura mais baixa.
Assim, em comparação com o processo CVD, o PECVD pode realizar o mesmo processo de deposição química de vapor com uma temperatura mais baixa.
Que factores devem ser considerados na seleção de uma máquina de deposição de vapor químico?
Que factores devem ser considerados na seleção do equipamento de deposição de película fina?
As máquinas de deposição química de vapor podem ser utilizadas para a deposição de películas finas com várias camadas?
Que considerações de segurança estão associadas à operação de equipamentos de deposição de película fina?
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