Ao comparar o CVD térmico e o PECVD, é importante compreender as diferentes temperaturas e fontes de energia utilizadas durante o processo de deposição.
Qual é a diferença entre CVD térmico e PECVD? (4 diferenças principais)
1. Fontes de energia
O CVD térmico depende apenas da ativação térmica para conduzir as reacções do gás e da superfície.
2. Gama de temperaturas
A CVD térmica envolve o aquecimento do substrato a altas temperaturas, normalmente acima de 500˚C, para promover as reacções químicas e a deposição do material desejado.
A PECVD utiliza tanto a energia térmica como a descarga luminescente induzida por RF para controlar as reacções químicas.
O plasma criado pela energia RF produz electrões livres que colidem com os gases reagentes, dissociando-os e gerando as reacções desejadas.
3. Temperatura de funcionamento
O PECVD funciona a temperaturas mais baixas, entre 100˚C e 400˚C.
Esta temperatura mais baixa é vantajosa porque reduz a tensão no material e permite um melhor controlo do processo de deposição.
4. Benefícios da PECVD
O PECVD oferece benefícios como temperaturas de deposição mais baixas, melhor controlo da deposição de películas finas e a capacidade de depositar películas com boas propriedades dieléctricas.
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