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Equipamento de Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma Rotativo Inclinado PECVD Forno Tubular

Forno CVD e PECVD

Equipamento de Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma Rotativo Inclinado PECVD Forno Tubular

Número do item : KT-PED

O preço varia com base em especificações e personalizações


Temperatura de aquecimento do porta-amostras
≤800℃
Canais de purga de gás
4 canais
Tamanho da câmara de vácuo
Φ500mm × 550 mm
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Introdução

A Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) é um processo de deposição de filmes finos a vácuo que utiliza vapores ou gases como precursores para criar um revestimento. A PECVD é uma variação da deposição química em fase de vapor (CVD) que utiliza plasma em vez de calor para ativar o gás ou vapor fonte. Como altas temperaturas podem ser evitadas, a gama de substratos possíveis se expande para materiais de baixo ponto de fusão – até mesmo plásticos em alguns casos. Além disso, a gama de materiais de revestimento que podem ser depositados também aumenta. A PECVD é usada para depositar uma grande variedade de materiais, incluindo dielétricos, semicondutores, metais e isolantes. Os revestimentos PECVD são usados em uma ampla variedade de aplicações, incluindo células solares, telas de painel plano e microeletrônica.

Aplicações

As máquinas de revestimento por Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) oferecem uma solução versátil para várias indústrias e aplicações:

  • **Iluminação LED:** Deposição de filmes dielétricos e semicondutores de alta qualidade para diodos emissores de luz (LEDs).
  • **Semicondutores de Potência:** Formação de camadas isolantes, óxidos de porta e outros componentes críticos em dispositivos semicondutores de potência.
  • **MEMS:** Fabricação de filmes finos para sistemas microeletromecânicos (MEMS), como sensores e atuadores.
  • **Revestimentos Ópticos:** Deposição de revestimentos anti-reflexo, filtros ópticos e outros componentes ópticos.
  • **Células Solares de Filme Fino:** Produção de filmes finos de silício amorfo e microcristalino para dispositivos de células solares.
  • **Modificação de Superfície:** Aprimoramento das propriedades da superfície, como resistência à corrosão, resistência ao desgaste e biocompatibilidade.
  • **Nanotecnologia:** Síntese de nanomateriais, incluindo nanopartículas, nanofios e filmes finos.

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Características

A Máquina de Revestimento por Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) oferece inúmeras vantagens que aumentam a produtividade e entregam resultados excepcionais:

  • **Deposição a baixa temperatura:** Permite a formação de filmes de alta qualidade a temperaturas significativamente mais baixas do que os métodos CVD tradicionais, tornando-a adequada para substratos delicados.
  • **Altas taxas de deposição:** Maximiza a eficiência depositando filmes rapidamente, reduzindo o tempo de produção e aumentando a produção.
  • **Filmes uniformes e resistentes a trincas:** Garante propriedades consistentes do filme e minimiza o risco de trincas, resultando em revestimentos confiáveis e duráveis.
  • **Excelente adesão aos substratos:** Fornece uma forte ligação entre o filme e o substrato, garantindo desempenho duradouro e prevenindo a delaminação.
  • **Capacidades de revestimento versáteis:** Permite a deposição de uma ampla gama de materiais, incluindo SiO2, SiNx e SiOxNy, para atender a diversos requisitos de aplicação.
  • **Personalização para geometrias complexas:** Acomoda substratos com formas intrincadas, garantindo revestimento uniforme e desempenho ideal.
  • **Baixa manutenção e fácil instalação:** Minimiza o tempo de inatividade e simplifica a configuração, aumentando a produtividade e a relação custo-benefício.

Especificações técnicas

Porta-amostras Tamanho 1-6 polegadas
Velocidade de rotação 0-20rpm ajustável
Temperatura de aquecimento ≤800℃
Precisão de controle ±0.5℃ Controlador PID SHIMADEN
Purga de gás Medidor de vazão Controlador de Medidor de Fluxo de Massa (MFC)
Canais 4 canais
Método de resfriamento Resfriamento por água circulante
Câmara de vácuo Tamanho da câmara Φ500mm X 550mm
Porta de observação Porta de visão completa com anteparo
Material da câmara Aço inoxidável 316
Tipo de porta Porta de abertura frontal
Material da tampa Aço inoxidável 304
Porta da bomba de vácuo Flange CF200
Porta de entrada de gás Conector VCR φ6
Potência de plasma Fonte de energia Fonte DC ou RF
Modo de acoplamento Acoplamento indutivo ou capacitivo de placas
Potência de saída 500W—1000W
Potência de polarização 500v
Bomba de vácuo Pré-bomba Bomba de vácuo de palhetas 15L/S
Porta da bomba turbomolecular CF150/CF200 620L/S-1600L/S
Porta de alívio KF25
Velocidade da bomba Bomba de palhetas: 15L/s, Bomba turbomolecular: 1200l/s ou 1600l/s
Grau de vácuo ≤5×10-5Pa
Sensor de vácuo Medidor de vácuo de ionização/resistência/medidor de membrana
Sistema Fonte de alimentação elétrica AC 220V /380 50Hz
Potência nominal 5kW
Dimensões 900mm X 820mm X870mm
Peso 200kg

Princípio

A Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD) utiliza plasma para estimular reações químicas durante a deposição, permitindo a formação de filmes sólidos de alta qualidade a baixas temperaturas. Ao empregar plasma de alta energia, as máquinas PECVD aumentam as taxas de reação e reduzem as temperaturas de reação. Esta técnica é amplamente utilizada em iluminação LED, semicondutores de potência e MEMS. Permite a deposição de filmes de meio como SiO2, SiNx, SiOxNy, bem como a deposição em alta velocidade de filmes espessos de SiO em substratos compostos. A PECVD oferece excelente qualidade de formação de filme, minimiza pinholes e reduz trincas, tornando-a adequada para a produção de dispositivos de células solares de filme fino de silício amorfo e microcristalino.

Vantagem

  • **Capacidade de depositar vários materiais:** A PECVD pode depositar uma ampla gama de materiais, incluindo carbono tipo diamante, compostos de silício e óxidos metálicos, permitindo a criação de filmes com propriedades personalizadas.
  • **Operação a baixa temperatura:** A PECVD opera a baixas temperaturas (tipicamente 300-450°C), tornando-a adequada para substratos sensíveis ao calor.
  • **Filmes finos de alta qualidade:** A PECVD produz filmes finos com excepcional uniformidade, controle de espessura e resistência a trincas.
  • **Excelente adesão:** Os filmes depositados pela PECVD exibem forte adesão ao substrato, garantindo durabilidade e confiabilidade.
  • **Revestimento conforme:** A PECVD permite o revestimento de geometrias complexas, fornecendo cobertura e proteção uniformes.
  • **Altas taxas de deposição:** A PECVD oferece taxas de deposição rápidas, aumentando a produtividade e reduzindo o tempo de produção.
  • **Baixa manutenção:** Os sistemas PECVD são projetados para baixa manutenção, minimizando o tempo de inatividade e maximizando a disponibilidade.
  • **Fácil instalação:** O equipamento PECVD é relativamente fácil de instalar e integrar em linhas de produção existentes.
  • **Design robusto:** Os sistemas PECVD são construídos com designs robustos, garantindo estabilidade e desempenho duradouro.
  • **Vida útil estendida:** Os sistemas PECVD são projetados para longevidade, fornecendo uma solução econômica para necessidades de deposição de filmes finos de longo prazo.

Avisos

A segurança do operador é a questão mais importante! Por favor, opere o equipamento com cautelas. Trabalhar com gases inflamáveis, explosivos ou tóxicos é muito perigoso, os operadores devem tomar todas as precauções necessárias antes de iniciar o equipamento. Trabalhar com pressão positiva dentro dos reactores ou câmaras é perigoso, o operador deve seguir rigorosamente os procedimentos de segurança. Extra também deve ser tido cuidado ao operar com materiais reativos ao ar, especialmente sob vácuo. Uma fuga pode aspirar ar para dentro do aparelho e provocar ocorrer uma reação violenta.

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FAQ

O Que é O Método PECVD?

O PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é um processo utilizado no fabrico de semicondutores para depositar películas finas em dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas e painéis de visualização. Na PECVD, um precursor é introduzido na câmara de reação em estado gasoso e a assistência de meios reactivos de plasma dissocia o precursor a temperaturas muito mais baixas do que na CVD. Os sistemas PECVD oferecem uma excelente uniformidade da película, um processamento a baixa temperatura e um elevado rendimento. São utilizados numa vasta gama de aplicações e desempenharão um papel cada vez mais importante na indústria de semicondutores, à medida que a procura de dispositivos electrónicos avançados continua a crescer.

O Que é O Mpcvd?

MPCVD significa Deposição de Vapor Químico por Plasma de Micro-ondas e é um processo de deposição de películas finas numa superfície. Utiliza uma câmara de vácuo, um gerador de micro-ondas e um sistema de distribuição de gás para criar um plasma constituído por produtos químicos em reação e pelos catalisadores necessários. A MPCVD é muito utilizada na rede ANFF para depositar camadas de diamante utilizando metano e hidrogénio para fazer crescer novo diamante num substrato semeado com diamante. É uma tecnologia promissora para a produção de grandes diamantes de baixo custo e alta qualidade e é amplamente utilizada na indústria de semicondutores e de corte de diamantes.

Para Que é Utilizado O PECVD?

O PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é amplamente utilizado na indústria de semicondutores para fabricar circuitos integrados, bem como nos domínios fotovoltaico, tribológico, ótico e biomédico. É utilizado para depositar películas finas para dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas e painéis de visualização. A PECVD pode produzir compostos e películas únicos que não podem ser criados apenas por técnicas comuns de CVD, e películas que demonstram elevada resistência a solventes e à corrosão com estabilidade química e térmica. Também é utilizado para produzir polímeros orgânicos e inorgânicos homogéneos em grandes superfícies e carbono tipo diamante (DLC) para aplicações tribológicas.

O Que é A Máquina Mpcvd?

A máquina MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) é um equipamento de laboratório utilizado para produzir películas de diamante de alta qualidade. Utiliza um gás contendo carbono e um plasma de micro-ondas para criar uma bola de plasma acima do substrato de diamante, que o aquece a uma temperatura específica. A bola de plasma não entra em contacto com a parede da cavidade, tornando o processo de crescimento do diamante isento de impurezas e melhorando a qualidade do diamante. O sistema MPCVD é constituído por uma câmara de vácuo, um gerador de micro-ondas e um sistema de fornecimento de gás que controla o fluxo de gás para a câmara.

Quais São As Vantagens Do PECVD?

As principais vantagens do PECVD são a sua capacidade de operar a temperaturas de deposição mais baixas, proporcionando uma melhor conformidade e cobertura de degraus em superfícies irregulares, um controlo mais rigoroso do processo de película fina e elevadas taxas de deposição. O PECVD permite aplicações bem sucedidas em situações em que as temperaturas convencionais de CVD poderiam potencialmente danificar o dispositivo ou o substrato que está a ser revestido. Ao funcionar a uma temperatura mais baixa, o PECVD cria menos tensão entre as camadas de película fina, permitindo um desempenho elétrico de elevada eficiência e uma ligação de acordo com padrões muito elevados.

Quais São As Vantagens Do Mpcvd?

O MPCVD tem várias vantagens sobre outros métodos de produção de diamantes, como maior pureza, menor consumo de energia e a capacidade de produzir diamantes maiores.

Qual é A Diferença Entre ALD E PECVD?

O ALD é um processo de deposição de películas finas que permite uma resolução atómica da espessura da camada, uma excelente uniformidade de superfícies de elevado rácio de aspeto e camadas sem orifícios. Isto é conseguido através da formação contínua de camadas atómicas numa reação auto-limitada. O PECVD, por outro lado, envolve a mistura do material de origem com um ou mais precursores voláteis, utilizando um plasma para interagir quimicamente e decompor o material de origem. Os processos utilizam calor com pressões mais elevadas, o que conduz a uma película mais reprodutível, em que a espessura da película pode ser gerida por tempo/potência. Estas películas são mais estequiométricas, mais densas e são capazes de produzir películas isolantes de maior qualidade.

Os Diamantes CVD São Reais Ou Falsos?

Os diamantes CVD são diamantes verdadeiros e não falsos. Eles são cultivados em laboratório através de um processo chamado Deposição Química de Vapor (CVD). Ao contrário dos diamantes naturais que são extraídos da superfície da terra, os diamantes CVD são criados usando tecnologia avançada em laboratórios. Estes diamantes são 100% carbono e são a forma mais pura de diamantes, conhecidos como diamantes Tipo IIa. Eles têm as mesmas propriedades ópticas, térmicas, físicas e químicas que os diamantes naturais. A única diferença é que os diamantes CVD são criados em um laboratório e não extraídos da terra.

Qual é A Diferença Entre PECVD E Pulverização Catódica?

A PECVD e a pulverização catódica são ambas técnicas de deposição física de vapor utilizadas para a deposição de películas finas. A PECVD é um processo difusivo conduzido por gás que produz películas finas de alta qualidade, enquanto a pulverização catódica é uma deposição em linha de visão. A PECVD permite uma melhor cobertura em superfícies irregulares, como valas e paredes, e uma elevada conformidade, podendo produzir compostos e películas únicos. Por outro lado, a pulverização catódica é boa para a deposição de camadas finas de vários materiais, ideal para criar sistemas de revestimento multi-camadas e multi-graduados. O PECVD é utilizado principalmente na indústria de semicondutores, nos campos tribológico, ótico e biomédico, enquanto a pulverização catódica é utilizada principalmente para materiais dieléctricos e aplicações tribológicas.
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Equipamento de Deposição Química em Fase de Vapor Aprimorada por Plasma Rotativo Inclinado PECVD Forno Tubular

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