Forno CVD e PECVD
Forno tubular CVD de câmara dividida com máquina CVD de estação de vácuo
Número do item : KT-CTF12
O preço varia com base em especificações e personalizações
- Temperatura máxima
- 1200 ℃
- Temperatura de trabalho constante
- 1100 ℃
- Diâmetro do tubo do forno
- 60 mm
- Comprimento da zona de aquecimento
- 1x450 mm
- Taxa de aquecimento
- 0-20 ℃/min
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O forno tubular CVD de câmara dividida com estação de vácuo é um equipamento de laboratório versátil e de elevado desempenho, concebido para aplicações de deposição química de vapor (CVD). Possui uma câmara de forno dividida que permite um acesso fácil às amostras de reação e um arrefecimento rápido. O tubo do forno é feito de quartzo de alta temperatura e tem um diâmetro de 60 mm. O sistema inclui um medidor de caudal mássico MFC de 4 canais com gases de origem de CH4, H2, O2 e N2, proporcionando um controlo preciso dos caudais de gás. A estação de vácuo possui uma bomba de vácuo de palhetas rotativas 4L/S, atingindo uma pressão de vácuo máxima de 10 Pa. Com as suas características e capacidades avançadas, o forno tubular CVD de câmara dividida com estação de vácuo é a escolha ideal para várias aplicações de investigação e desenvolvimento em ciência dos materiais, processamento de semicondutores e outros domínios.
Detalhes e peças
Aplicações
O forno tubular CVD de câmara dividida com estação de vácuo é um equipamento versátil e avançado, concebido para uma variedade de aplicações nos domínios da ciência dos materiais, do fabrico de semicondutores e da investigação e desenvolvimento. Esta máquina é particularmente útil para processos que requerem um controlo preciso da temperatura, do fluxo de gás e dos níveis de vácuo, tornando-a uma ferramenta essencial para a síntese e processamento de materiais de alta qualidade.
- Síntese de nanomateriais: O forno é ideal para o crescimento de nanofios, nanofilmes e outros materiais nanoestruturados, que são cruciais no desenvolvimento de dispositivos electrónicos e optoelectrónicos avançados.
- Revestimento a vácuo: É amplamente utilizado para a deposição de películas finas em vários substratos, incluindo películas de metal, películas de cerâmica e películas compostas, que são essenciais para melhorar as propriedades dos materiais em aplicações como a ótica e a eletrónica.
- Processamento de material de bateria: O forno é adequado para a secagem e sinterização de materiais de bateria, que é um passo crítico na produção de baterias de alto desempenho.
- Secagem e sinterização de materiais: É utilizado na sinterização a alta temperatura de cerâmicas, materiais refractários e materiais especiais, assegurando a consolidação e densificação destes materiais.
- Tratamento térmico em atmosfera e vácuo: A configuração do forno tubular vertical permite a têmpera, o recozimento e o revenido de pequenas peças de aço, bem como o revestimento CVD vertical, tornando-o uma mais-valia nos processos metalúrgicos.
- Investigação e desenvolvimento: É amplamente utilizado em universidades, institutos de investigação e empresas industriais e mineiras para a realização de experiências a alta temperatura, sinterização em atmosfera, atmosfera redutora e experiências CVD/CVI, contribuindo para o avanço da ciência e tecnologia dos materiais.
Características
O forno tubular CVD de câmara dividida com máquina CVD de estação de vácuo é um equipamento sofisticado concebido para processos avançados de deposição de vapor químico (CVD). Este forno integra tecnologia de ponta para melhorar a eficiência e a qualidade da deposição de película, tornando-o ideal para aplicações industriais e de investigação. Aqui estão as principais características e os seus benefícios:
- Elevada taxa de deposição de película: Utilizando a tecnologia de incandescência por radiofrequência, este forno aumenta significativamente a taxa de deposição de película, atingindo até 10Å/S. Esta deposição rápida é crucial para a produção e investigação de alto rendimento, poupando tempo e aumentando a produtividade.
- Uniformidade de grande área: Com a avançada tecnologia de alimentação RF multiponto e a distribuição especializada do trajeto do gás, o forno assegura uma uniformidade da película até 8%. Esta uniformidade é essencial para criar revestimentos consistentes e de alta qualidade em grandes substratos, aumentando a fiabilidade dos materiais produzidos.
- Deposição consistente: O design incorpora conceitos avançados da indústria de semicondutores, resultando num desvio inferior a 2% entre substratos. Este elevado nível de consistência é vital para aplicações que requerem resultados precisos e repetíveis, como na produção de componentes electrónicos.
- Controlo estável do processo: A elevada estabilidade do equipamento assegura a continuidade e a consistência do processo CVD. Esta fiabilidade é fundamental para manter a integridade do processo e reduzir o risco de defeitos ou falhas durante o funcionamento.
- Sistema de controlo inteligente: Patenteado pela Bonage, o sistema de controlo integrado inclui um sistema de controlo de temperatura de alto desempenho que utiliza um mecanismo de feedback negativo em circuito fechado. Este sistema, combinado com componentes eléctricos importados de alta qualidade, melhora o desempenho geral e a fiabilidade do equipamento, tornando-o praticamente isento de manutenção.
- Aplicações versáteis: Adequado para depositar vários tipos de películas, incluindo películas metálicas, cerâmicas e compostas, o forno suporta processos de crescimento contínuo e pode ser facilmente expandido com funções adicionais, como limpeza por plasma e gravação. Esta versatilidade torna-o um ativo valioso para diversas necessidades de investigação e produção.
Princípio de funcionamento
O forno tubular CVD de câmara dividida com máquina CVD de estação de vácuo é um forno de vácuo de alta temperatura utilizado para processos de deposição de vapor químico (CVD). O CVD é um processo no qual uma película fina de material é depositada num substrato através da reação química de um gás ou vapor. O forno tubular CVD de câmara dividida com estação de vácuo da máquina CVD utiliza uma câmara de forno dividida para permitir um acesso fácil ao substrato durante o processo CVD. A estação de vácuo é utilizada para criar vácuo na câmara do forno, o que ajuda a remover as impurezas e a melhorar a qualidade da película depositada.
Vantagens
- Observação intuitiva da amostra e arrefecimento rápido: A câmara do forno dividida permite a observação direta das amostras de reação e um arrefecimento rápido.
- Capacidade para altas temperaturas: Temperatura máxima de trabalho de até 1200 ℃ para aplicações versáteis.
- Controle preciso de gás: O medidor de fluxo de massa MFC de 4 canais com fontes de CH4, H2, O2 e N2 garante um fornecimento de gás preciso e estável.
- Compatibilidade com o vácuo: A estação de vácuo com uma bomba de vácuo de palhetas rotativas 4L/S atinge uma pressão de vácuo máxima de até 10Pa, permitindo vários processos de vácuo.
- Aquecimento e arrefecimento a alta velocidade: O sistema de deslizamento da câmara do forno facilita o rápido aquecimento e arrefecimento para um processamento eficiente das amostras.
- Controlo avançado da temperatura: Controlo de temperatura programável PID com excelente precisão, controlo remoto e capacidades de controlo centralizado.
- Interface de fácil utilização: O controlador CTF Pro com um ecrã tátil TFT de 7 polegadas oferece uma configuração intuitiva do programa e análise de dados.
- Configuração de vácuo versátil: A flange de vácuo em aço inoxidável com portas adaptáveis acomoda diferentes estações de bomba de vácuo para ambientes de vácuo personalizados.
- Eficiência energética: O sistema de arrefecimento a água e o design de pós-fluxo de gás minimizam o consumo de energia.
- Ampla aplicabilidade: Adequado para CVD, difusão e outros tratamentos térmicos sob vácuo e proteção da atmosfera.
Vantagens de segurança
- O forno tubular Kindle Tech possui proteção contra sobrecarga de corrente e função de alarme de temperatura excessiva, o forno desliga-se automaticamente
- O forno possui uma função de deteção de pares térmicos, o forno pára de aquecer e o alarme é ativado quando é detectada uma avaria ou falha
- O KT-CTF12 Pro suporta a função de reinício por falha de energia, o forno retoma o programa de aquecimento do forno quando a energia é recebida após a falha
Especificações técnicas
| Modelo do forno | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Temperatura máxima | 1200℃ |
| Temperatura de trabalho constante | 1100℃ |
| Material do tubo do forno | Quartzo de alta pureza |
| Diâmetro do tubo do forno | 60mm |
| Comprimento da zona de aquecimento | 1x450mm |
| Material da câmara | Fibra de alumina do Japão |
| Elemento de aquecimento | Bobina de fio Cr2Al2Mo2 |
| Taxa de aquecimento | 0-20℃/min |
| Par térmico | Construído em tipo K |
| Controlador de temperatura | Controlador PID digital/controlador PID com ecrã tátil |
| Precisão do controlo de temperatura | ±1℃ |
| Distância de deslizamento | 600mm |
| Unidade de controlo preciso de gás | |
| Medidor de caudal | Medidor de caudal mássico MFC |
| Canais de gás | 4 canais |
| Caudal | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearidade | ±0,5% F.S. |
| Repetibilidade | ±0,2% F.S. |
| Tubagem e válvula | Aço inoxidável |
| Pressão máxima de funcionamento | 0,45MPa |
| Controlador do caudalímetro | Controlador de botão digital/controlador de ecrã tátil |
| Unidade de vácuo standard (opcional) | |
| Bomba de vácuo | Bomba de vácuo de palhetas rotativas |
| Caudal da bomba | 4L/S |
| Porta de aspiração de vácuo | KF25 |
| Medidor de vácuo | Vacuómetro de silicone Pirani/Resistance |
| Pressão de vácuo nominal | 10Pa |
| Unidade de alto vácuo (opcional) | |
| Bomba de vácuo | Bomba de palhetas rotativas+Bomba molecular |
| Caudal da bomba | 4L/S+110L/S |
| Porta de sucção de vácuo | KF25 |
| Medidor de vácuo | Medidor de vácuo composto |
| Pressão de vácuo nominal | 6x10-5Pa |
| As especificações e configurações acima podem ser personalizadas | |
Pacote padrão
| Não. | Descrição | Quantidade |
|---|---|---|
| 1 | Forno | 1 |
| 2 | Tubo de quartzo | 1 |
| 3 | Flange de vácuo | 2 |
| 4 | Bloco térmico do tubo | 2 |
| 5 | Gancho do bloco térmico do tubo | 1 |
| 6 | Luva resistente ao calor | 1 |
| 7 | Controlo preciso do gás | 1 |
| 8 | Unidade de vácuo | 1 |
| 9 | Manual de instruções | 1 |
Configuração opcional
- Deteção e monitorização de gases no tubo, como H2, O2, etc.
- Monitorização e registo independentes da temperatura do forno
- Porta de comunicação RS 485 para controlo remoto por PC e exportação de dados
- Controlo do caudal de alimentação de gases de inserção, como o caudalímetro de massa e o caudalímetro de flutuador
- Controlador de temperatura de ecrã tátil com funções versáteis e fáceis de utilizar
- Configurações de estação de bomba de alto vácuo, como bomba de vácuo de palhetas, bomba molecular, bomba de difusão
Avisos
A segurança do operador é a questão mais importante! Por favor, opere o equipamento com cautelas. Trabalhar com gases inflamáveis, explosivos ou tóxicos é muito perigoso, os operadores devem tomar todas as precauções necessárias antes de iniciar o equipamento. Trabalhar com pressão positiva dentro dos reactores ou câmaras é perigoso, o operador deve seguir rigorosamente os procedimentos de segurança. Extra também deve ser tido cuidado ao operar com materiais reativos ao ar, especialmente sob vácuo. Uma fuga pode aspirar ar para dentro do aparelho e provocar ocorrer uma reação violenta.
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FAQ
O que é o forno CVD?
A deposição química de vapor (CVD) é uma tecnologia que utiliza várias fontes de energia, como aquecimento, excitação de plasma ou radiação de luz para reagir quimicamente substâncias químicas gasosas ou de vapor na fase gasosa ou na interface gás-sólido para formar depósitos sólidos no reator por meio de reação química. simplificando, duas ou mais matérias-primas gasosas são introduzidas em uma câmara de reação e, em seguida, reagem entre si para formar um novo material e depositá-lo na superfície do substrato.
O forno CVD é um sistema de forno combinado com unidade de forno tubular de alta temperatura, unidade de controle de gases e unidade de vácuo, é amplamente utilizado para experimentos e produção de preparação de material composto, processo microeletrônico, optoeletrônico semicondutor, utilização de energia solar, comunicação de fibra ótica, tecnologia de supercondutor, campo de revestimento protetor.
O que é uma prensa de laboratório?
Como é que o forno CVD funciona?
O sistema de forno CVD consiste em uma unidade de forno de tubo de alta temperatura, unidade de controle preciso da fonte de gás reagente, estação de bomba de vácuo e peças de montagem correspondentes.
A bomba de vácuo é para remover o ar do tubo de reação e garantir que não haja gases indesejados dentro do tubo de reação, depois que o forno de tubo aquecerá o tubo de reação a uma temperatura alvo, então a unidade de controle preciso da fonte de gás reagente pode introduzir gases diferentes com uma proporção definida no tubo do forno para a reação química, a deposição de vapor químico será formada no forno CVD.
O que é o método PECVD?
Qual é o princípio básico da CVD?
O que é o Mpcvd?
Como é que o PACVD funciona?
O que é RF PECVD?
Quais são os métodos utilizados para depositar películas finas?
Qual é o objetivo de uma prensa hidráulica no laboratório?
Que gás é utilizado no processo CVD?
Existem tremendas fontes de gás que podem ser usadas no processo CVD, as reações químicas comuns do CVD incluem pirólise, fotólise, redução, oxidação, redox, de modo que os gases envolvidos nessas reações químicas podem ser usados no processo CVD.
Tomamos o crescimento de grafeno CVD como exemplo, os gases usados no processo CVD serão CH4, H2, O2 e N2.
Para que é utilizado o PECVD?
Quais são os diferentes tipos de métodos CVD?
O que é a máquina Mpcvd?
PACVD é PECVD?
Como é que o PECVD RF funciona?
O que é o equipamento de deposição de película fina?
Quais são os diferentes tipos de prensas de laboratório?
Qual é a vantagem do sistema CVD?
- Pode ser produzida uma vasta gama de películas, películas metálicas, películas não metálicas e películas de ligas multicomponentes, conforme necessário. Ao mesmo tempo, pode preparar cristais de alta qualidade que são difíceis de obter por outros métodos, como GaN, BP, etc.
- A velocidade de formação da película é rápida, geralmente vários microns por minuto ou mesmo centenas de microns por minuto. É possível depositar simultaneamente grandes quantidades de revestimentos com composição uniforme, o que é incomparável com outros métodos de preparação de filmes, como epitaxia de fase líquida (LPE) e epitaxia de feixe molecular (MBE).
- As condições de trabalho são realizadas sob pressão normal ou condições de baixo vácuo, de modo que o revestimento tem boa difração, e as peças de trabalho com formas complexas podem ser uniformemente revestidas, o que é muito superior ao PVD.
- Devido à difusão mútua do gás de reação, do produto da reação e do substrato, pode obter-se um revestimento com boa força de adesão, o que é crucial para a preparação de películas reforçadas à superfície, tais como películas resistentes ao desgaste e anti-corrosão.
- Algumas películas crescem a uma temperatura muito inferior ao ponto de fusão do material da película. Sob a condição de crescimento a baixa temperatura, o gás de reação e a parede do reator e as impurezas contidas neles quase não reagem, de modo que um filme com alta pureza e boa cristalinidade pode ser obtido.
- A deposição química de vapor pode obter uma superfície de deposição lisa. Isso ocorre porque, em comparação com o LPE, a deposição de vapor químico (CVD) é realizada sob alta saturação, com alta taxa de nucleação, alta densidade de nucleação e distribuição uniforme em todo o plano, resultando em uma superfície lisa macroscópica. Ao mesmo tempo, na deposição de vapor químico, o caminho livre médio das moléculas (átomos) é muito maior do que o LPE, de modo que a distribuição espacial das moléculas é mais uniforme, o que favorece a formação de uma superfície de deposição lisa.
- Baixos danos por radiação, que é uma condição necessária para a fabricação de semicondutores de óxido metálico (MOS) e outros dispositivos
Quais são as vantagens do PECVD?
Quais são as vantagens da utilização de máquinas de deposição química de vapor?
Quais são as vantagens do Mpcvd?
Quais são as vantagens da utilização do PACVD?
Quais são as vantagens do RF PECVD?
O que é a tecnologia de deposição de película fina?
O que significa PECVD?
O PECVD é uma tecnologia que utiliza o plasma para ativar o gás de reação, promover a reação química na superfície do substrato ou no espaço próximo da superfície e gerar uma película sólida. O princípio básico da tecnologia de deposição de vapor químico de plasma é que, sob a ação do campo elétrico de RF ou DC, o gás de origem é ionizado para formar um plasma, o plasma de baixa temperatura é usado como fonte de energia, uma quantidade apropriada de gás de reação é introduzida e a descarga de plasma é usada para ativar o gás de reação e realizar a deposição de vapor químico.
De acordo com o método de geração de plasma, ele pode ser dividido em plasma de RF, plasma de DC e plasma de micro-ondas CVD, etc ...
Qual é a diferença entre ALD e PECVD?
Quais são as aplicações das máquinas de deposição química de vapor?
Os diamantes CVD são reais ou falsos?
Quais são as aplicações mais comuns do PACVD?
Quais são as vantagens da utilização de equipamento de deposição de películas finas?
Qual é a diferença entre CVD e PECVD?
A diferença entre o PECVD e a tecnologia CVD tradicional é que o plasma contém um grande número de electrões de alta energia, que podem fornecer a energia de ativação necessária no processo de deposição de vapor químico, alterando assim o modo de fornecimento de energia do sistema de reação. Uma vez que a temperatura dos electrões no plasma é tão elevada como 10000K, a colisão entre os electrões e as moléculas de gás pode promover a quebra de ligações químicas e a recombinação das moléculas de gás de reação para gerar grupos químicos mais activos, enquanto todo o sistema de reação mantém uma temperatura mais baixa.
Assim, em comparação com o processo CVD, o PECVD pode realizar o mesmo processo de deposição química de vapor com uma temperatura mais baixa.
Qual é a diferença entre PECVD e pulverização catódica?
Que factores devem ser considerados na seleção de uma máquina de deposição de vapor químico?
Que factores devem ser considerados na seleção de um sistema PACVD?
Que factores devem ser considerados na seleção do equipamento de deposição de película fina?
As máquinas de deposição química de vapor podem ser utilizadas para a deposição de películas finas com várias camadas?
Que considerações de segurança estão associadas à operação de equipamentos de deposição de película fina?
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PDF - Forno tubular CVD de câmara dividida com máquina CVD de estação de vácuo
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