Produtos Equipamento térmico Forno CVD e PECVD Forno tubular Slide PECVD com gasificador líquido Máquina PECVD
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Forno tubular Slide PECVD com gasificador líquido Máquina PECVD

Forno CVD e PECVD

Forno tubular Slide PECVD com gasificador líquido Máquina PECVD

Número do item : KT-PE12

O preço varia com base em especificações e personalizações


Temperatura máxima
1200 ℃
Temperatura de trabalho constante
1100 ℃
Diâmetro do tubo do forno
60 mm
Comprimento da zona de aquecimento
1x450 mm
Taxa de aquecimento
0-20 ℃/min
Distância de deslizamento
600 mm
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Aplicações

O sistema KT-PE12 Slide PECVD com gaseificador líquido é composto por uma fonte de plasma RF de 500W, um forno deslizante TF-1200, 4 unidades de controlo preciso de gás MFC e uma estação de vácuo padrão. Sistema de deslizamento do trilho da câmara do forno, que pode realizar o propósito de aquecimento rápido e resfriamento rápido, ventilador de circulação de ar forçado auxiliar opcional pode ser instalado para acelerar a taxa de resfriamento; movimento deslizante opcional funcionando automaticamente; max. A temperatura de trabalho é de até 1200 ℃, o tubo do forno é um tubo de quartzo de 60 mm de diâmetro; Medidor de fluxo de massa MFC de 4 canais com fontes de gás de CH4, H2, O2 e N2; A estação de vácuo é uma bomba de vácuo de palhetas rotativas 4L / S, máx. A pressão de vácuo é de até 10Pa.

Vantagens

  • Fonte de plasma RF de correspondência automática, ampla gama de potência de saída de 5-500W, saída estável
  • Sistema de deslizamento da câmara do forno para aquecimento de alta velocidade e arrefecimento de curta duração, arrefecimento rápido auxiliar e movimento de deslizamento automático estão disponíveis
  • Controlo de temperatura programável PID, excelente precisão de controlo e suporte de controlo remoto e controlo centralizado
  • Controlo de caudalímetro de massa MFC de alta precisão, pré-mistura de gases de origem e velocidade de fornecimento de gás estável
  • Flange de vácuo de aço inoxidável com várias portas de adaptação para atender a diferentes configurações de estação de bomba de vácuo, boa vedação e alto grau de vácuo
  • O CTF Pro aplica um controlador de ecrã tátil TFT de 7 polegadas, configuração de programa mais amigável e análise de dados históricos

Diferentes sistemas CVD de temperatura e configuração disponíveis

Sistema PECVD de deslizamento com gaseificador de líquido
Sistema Slide PECVD com gaseificador de líquido
Sistema PECVD de deslizamento com forno de tubo dividido duplo
Sistema Slide PECVD com forno de tubo dividido duplo
Sistema PECVD dividido com tubo de grande diâmetro
Sistema PECVD dividido com tubo de grande diâmetro
Sistema PECVD MFC de 4 canais com estação de alto vácuo
Sistema PECVD MFC de 4 canais com estação de alto vácuo

Vantagens em termos de segurança

  • O forno tubular Kindle Tech possui proteção contra sobrecarga de corrente e função de alarme de temperatura excessiva, o forno desliga-se automaticamente
  • O forno possui uma função de deteção de pares térmicos, o forno pára de aquecer e o alarme é ativado quando é detectada uma avaria ou falha
  • PE Pro suporta a função de reinício de falha de energia, o forno retomará o programa de aquecimento do forno quando a energia é recebida após a falha

Especificações técnicas

Modelo do forno KT-PE12-60
Temperatura máxima 1200℃
Temperatura de trabalho constante 1100℃
Material do tubo do forno Quartzo de alta pureza
Diâmetro do tubo do forno 60mm
Comprimento da zona de aquecimento 1x450mm
Material da câmara Fibra de alumina do Japão
Elemento de aquecimento Bobina de fio Cr2Al2Mo2
Taxa de aquecimento 0-20℃/min
Par térmico Construído em tipo K
Controlador de temperatura Controlador PID digital/controlador PID com ecrã tátil
Precisão do controlo de temperatura ±1℃
Distância de deslizamento 600mm
Unidade de plasma RF
Potência de saída 5 -500W ajustável com estabilidade de ± 1%
Frequência de RF 13,56 MHz ±0,005% de estabilidade
Potência de reflexão 350W máx.
Emparelhamento Automático
Ruído <50 dB
Arrefecimento Arrefecimento a ar.
Unidade de controlo de precisão do gás
Medidor de caudal Medidor de caudal mássico MFC
Canais de gás 4 canais
Caudal MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearidade ±0,5% F.S.
Repetibilidade ±0,2% F.S.
Tubagem e válvula Aço inoxidável
Pressão máxima de funcionamento 0,45MPa
Controlador do caudalímetro Controlador de botão digital/controlador de ecrã tátil
Unidade de vácuo standard (opcional)
Bomba de vácuo Bomba de vácuo de palhetas rotativas
Caudal da bomba 4L/S
Porta de aspiração de vácuo KF25
Medidor de vácuo Vacuómetro de silicone Pirani/Resistance
Pressão de vácuo nominal 10Pa
Unidade de alto vácuo (opcional)
Bomba de vácuo Bomba de palhetas rotativas+Bomba molecular
Caudal da bomba 4L/S+110L/S
Porta de aspiração de vácuo KF25
Medidor de vácuo Medidor de vácuo composto
Pressão de vácuo nominal 6x10-5Pa
As especificações e configurações acima podem ser personalizadas

Pacote padrão

Não. Descrição Quantidade
1 Forno 1
2 Tubo de quartzo 1
3 Flange de vácuo 2
4 Bloco térmico do tubo 2
5 Gancho do bloco térmico do tubo 1
6 Luva resistente ao calor 1
7 Fonte de plasma RF 1
8 Controlo preciso do gás 1
9 Unidade de vácuo 1
10 Manual de instruções 1

Configuração opcional

  • Deteção e monitorização de gases no tubo, como H2, O2, etc.
  • Monitorização e registo independentes da temperatura do forno
  • Porta de comunicação RS 485 para controlo remoto por PC e exportação de dados
  • Controlo do caudal de alimentação de gases de inserção, como o caudalímetro de massa e o caudalímetro de flutuador
  • Controlador de temperatura de ecrã tátil com funções versáteis e fáceis de utilizar
  • Instalação de bombas de alto vácuo, como bomba de vácuo de palhetas, bomba molecular, bomba de difusão

Avisos

A segurança do operador é a questão mais importante! Por favor, opere o equipamento com cautelas. Trabalhar com gases inflamáveis, explosivos ou tóxicos é muito perigoso, os operadores devem tomar todas as precauções necessárias antes de iniciar o equipamento. Trabalhar com pressão positiva dentro dos reactores ou câmaras é perigoso, o operador deve seguir rigorosamente os procedimentos de segurança. Extra também deve ser tido cuidado ao operar com materiais reativos ao ar, especialmente sob vácuo. Uma fuga pode aspirar ar para dentro do aparelho e provocar ocorrer uma reação violenta.

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FAQ

O Que é A Deposição Física De Vapor (PVD)?

A deposição física de vapor (PVD) é uma técnica de deposição de películas finas através da vaporização de um material sólido no vácuo e da sua posterior deposição num substrato. Os revestimentos por PVD são altamente duráveis, resistentes a riscos e à corrosão, o que os torna ideais para uma variedade de aplicações, desde células solares a semicondutores. A PVD também cria películas finas que podem suportar temperaturas elevadas. No entanto, a PVD pode ser dispendiosa, e o custo varia consoante o método utilizado. Por exemplo, a evaporação é um método de PVD de baixo custo, enquanto a pulverização catódica por feixe de iões é bastante dispendiosa. A pulverização catódica por magnetrão, por outro lado, é mais cara mas mais escalável.

O Que é O Método PECVD?

O PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é um processo utilizado no fabrico de semicondutores para depositar películas finas em dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas e painéis de visualização. Na PECVD, um precursor é introduzido na câmara de reação em estado gasoso e a assistência de meios reactivos de plasma dissocia o precursor a temperaturas muito mais baixas do que na CVD. Os sistemas PECVD oferecem uma excelente uniformidade da película, um processamento a baixa temperatura e um elevado rendimento. São utilizados numa vasta gama de aplicações e desempenharão um papel cada vez mais importante na indústria de semicondutores, à medida que a procura de dispositivos electrónicos avançados continua a crescer.

O Que é A Pulverização Catódica Por Magnetrão?

A pulverização catódica por magnetrão é uma técnica de revestimento baseada em plasma utilizada para produzir películas muito densas com excelente aderência, o que a torna um método versátil para criar revestimentos em materiais com pontos de fusão elevados e que não podem ser evaporados. Este método gera um plasma magneticamente confinado perto da superfície de um alvo, onde iões energéticos carregados positivamente colidem com o material alvo carregado negativamente, fazendo com que os átomos sejam ejectados ou "pulverizados". Estes átomos ejectados são então depositados num substrato ou bolacha para criar o revestimento desejado.

Para Que é Utilizado O PECVD?

O PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é amplamente utilizado na indústria de semicondutores para fabricar circuitos integrados, bem como nos domínios fotovoltaico, tribológico, ótico e biomédico. É utilizado para depositar películas finas para dispositivos microelectrónicos, células fotovoltaicas e painéis de visualização. A PECVD pode produzir compostos e películas únicos que não podem ser criados apenas por técnicas comuns de CVD, e películas que demonstram elevada resistência a solventes e à corrosão com estabilidade química e térmica. Também é utilizado para produzir polímeros orgânicos e inorgânicos homogéneos em grandes superfícies e carbono tipo diamante (DLC) para aplicações tribológicas.

Porquê A Pulverização Catódica Por Magnetrões?

A pulverização catódica por magnetrão é preferida devido à sua capacidade de atingir uma elevada precisão na espessura da película e na densidade dos revestimentos, ultrapassando os métodos de evaporação. Esta técnica é especialmente adequada para criar revestimentos metálicos ou isolantes com propriedades ópticas ou eléctricas específicas. Além disso, os sistemas de pulverização catódica por magnetrões podem ser configurados com várias fontes de magnetrões.

Quais São As Vantagens Do PECVD?

As principais vantagens do PECVD são a sua capacidade de operar a temperaturas de deposição mais baixas, proporcionando uma melhor conformidade e cobertura de degraus em superfícies irregulares, um controlo mais rigoroso do processo de película fina e elevadas taxas de deposição. O PECVD permite aplicações bem sucedidas em situações em que as temperaturas convencionais de CVD poderiam potencialmente danificar o dispositivo ou o substrato que está a ser revestido. Ao funcionar a uma temperatura mais baixa, o PECVD cria menos tensão entre as camadas de película fina, permitindo um desempenho elétrico de elevada eficiência e uma ligação de acordo com padrões muito elevados.

Quais São Os Materiais Utilizados Na Deposição De Película Fina?

A deposição de película fina utiliza normalmente metais, óxidos e compostos como materiais, cada um com as suas vantagens e desvantagens únicas. Os metais são preferidos pela sua durabilidade e facilidade de deposição, mas são relativamente caros. Os óxidos são altamente duráveis, suportam temperaturas elevadas e podem ser depositados a baixas temperaturas, mas podem ser frágeis e difíceis de trabalhar. Os compostos oferecem resistência e durabilidade, podem ser depositados a baixas temperaturas e adaptados para apresentarem propriedades específicas.

A seleção do material para um revestimento de película fina depende dos requisitos da aplicação. Os metais são ideais para a condução térmica e eléctrica, enquanto os óxidos são eficazes na proteção. Os compostos podem ser adaptados para satisfazer necessidades específicas. Em última análise, o melhor material para um determinado projeto dependerá das necessidades específicas da aplicação.

Qual é A Diferença Entre ALD E PECVD?

O ALD é um processo de deposição de películas finas que permite uma resolução atómica da espessura da camada, uma excelente uniformidade de superfícies de elevado rácio de aspeto e camadas sem orifícios. Isto é conseguido através da formação contínua de camadas atómicas numa reação auto-limitada. O PECVD, por outro lado, envolve a mistura do material de origem com um ou mais precursores voláteis, utilizando um plasma para interagir quimicamente e decompor o material de origem. Os processos utilizam calor com pressões mais elevadas, o que conduz a uma película mais reprodutível, em que a espessura da película pode ser gerida por tempo/potência. Estas películas são mais estequiométricas, mais densas e são capazes de produzir películas isolantes de maior qualidade.

Quais São Os Métodos Para Obter Uma Deposição óptima De Película Fina?

Para obter películas finas com propriedades desejáveis, são essenciais alvos de pulverização catódica e materiais de evaporação de alta qualidade. A qualidade destes materiais pode ser influenciada por vários factores, tais como a pureza, o tamanho do grão e o estado da superfície.

A pureza dos alvos de pulverização catódica ou dos materiais de evaporação desempenha um papel crucial, uma vez que as impurezas podem causar defeitos na película fina resultante. O tamanho do grão também afecta a qualidade da película fina, sendo que os grãos maiores conduzem a propriedades de película pobres. Além disso, a condição da superfície é crucial, uma vez que as superfícies ásperas podem resultar em defeitos na película.

Para obter alvos de pulverização catódica e materiais de evaporação da mais alta qualidade, é crucial selecionar materiais que possuam alta pureza, tamanho de grão pequeno e superfícies lisas.

Utilizações Da Deposição De Película Fina

Películas finas à base de óxido de zinco

As películas finas de ZnO encontram aplicações em várias indústrias, tais como térmica, ótica, magnética e eléctrica, mas a sua principal utilização é em revestimentos e dispositivos semicondutores.

Resistências de película fina

As resistências de película fina são cruciais para a tecnologia moderna e são utilizadas em receptores de rádio, placas de circuito, computadores, dispositivos de radiofrequência, monitores, routers sem fios, módulos Bluetooth e receptores de telemóveis.

Filmes finos magnéticos

Os filmes finos magnéticos são utilizados em eletrónica, armazenamento de dados, identificação por radiofrequência, dispositivos de micro-ondas, ecrãs, placas de circuitos e optoelectrónica como componentes-chave.

Filmes finos ópticos

Os revestimentos ópticos e a optoelectrónica são aplicações padrão dos filmes finos ópticos. A epitaxia por feixe molecular pode produzir dispositivos optoelectrónicos de película fina (semicondutores), em que as películas epitaxiais são depositadas um átomo de cada vez no substrato.

Filmes finos de polímeros

Os filmes finos de polímeros são utilizados em chips de memória, células solares e dispositivos electrónicos. As técnicas de deposição química (CVD) oferecem um controlo preciso dos revestimentos de películas de polímeros, incluindo a conformidade e a espessura do revestimento.

Baterias de película fina

As baterias de película fina alimentam dispositivos electrónicos, tais como dispositivos médicos implantáveis, e a bateria de iões de lítio avançou significativamente graças à utilização de películas finas.

Revestimentos de película fina

Os revestimentos de película fina melhoram as características químicas e mecânicas dos materiais alvo em várias indústrias e campos tecnológicos. Revestimentos antirreflexo, revestimentos anti-ultravioleta ou anti-infravermelhos, revestimentos anti-riscos e polarização de lentes são alguns exemplos comuns.

Células solares de película fina

As células solares de película fina são essenciais para a indústria da energia solar, permitindo a produção de eletricidade relativamente barata e limpa. Os sistemas fotovoltaicos e a energia térmica são as duas principais tecnologias aplicáveis.

Qual é A Diferença Entre PECVD E Pulverização Catódica?

A PECVD e a pulverização catódica são ambas técnicas de deposição física de vapor utilizadas para a deposição de películas finas. A PECVD é um processo difusivo conduzido por gás que produz películas finas de alta qualidade, enquanto a pulverização catódica é uma deposição em linha de visão. A PECVD permite uma melhor cobertura em superfícies irregulares, como valas e paredes, e uma elevada conformidade, podendo produzir compostos e películas únicos. Por outro lado, a pulverização catódica é boa para a deposição de camadas finas de vários materiais, ideal para criar sistemas de revestimento multi-camadas e multi-graduados. O PECVD é utilizado principalmente na indústria de semicondutores, nos campos tribológico, ótico e biomédico, enquanto a pulverização catódica é utilizada principalmente para materiais dieléctricos e aplicações tribológicas.

Factores E Parâmetros Que Influenciam A Deposição De Películas Finas

Taxa de deposição:

A taxa a que a película é produzida, tipicamente medida em espessura dividida pelo tempo, é crucial para selecionar uma tecnologia adequada à aplicação. As taxas de deposição moderadas são suficientes para películas finas, enquanto as taxas de deposição rápidas são necessárias para películas espessas. É importante encontrar um equilíbrio entre a velocidade e o controlo preciso da espessura da película.

Uniformidade:

A consistência da película ao longo do substrato é conhecida como uniformidade, que normalmente se refere à espessura da película, mas também pode estar relacionada com outras propriedades, como o índice de refração. É importante ter um bom entendimento da aplicação para evitar sub ou superespecificar a uniformidade.

Capacidade de preenchimento:

A capacidade de preenchimento ou cobertura de etapas refere-se a quão bem o processo de deposição cobre a topografia do substrato. O método de deposição utilizado (por exemplo, CVD, PVD, IBD ou ALD) tem um impacto significativo na cobertura e no preenchimento dos degraus.

Características da película:

As características da película dependem dos requisitos da aplicação, que podem ser classificados como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecânicos ou químicos. A maioria das películas tem de cumprir requisitos em mais do que uma categoria.

Temperatura do processo:

As características da película são significativamente afectadas pela temperatura do processo, que pode ser limitada pela aplicação.

Danos:

Cada tecnologia de deposição tem o potencial de danificar o material depositado, sendo as características mais pequenas mais susceptíveis a danos no processo. A poluição, a radiação UV e o bombardeamento de iões estão entre as potenciais fontes de danos. É crucial compreender as limitações dos materiais e ferramentas.

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Os revestimentos CVD têm várias vantagens em relação a outros métodos de revestimento, tais como elevada pureza, densidade e uniformidade, tornando-os ideais para muitas aplicações em várias indústrias.

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Um guia passo a passo para o processo PECVD

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O PECVD é um tipo de processo de deposição química de vapor que utiliza plasma para melhorar as reacções químicas entre os precursores em fase gasosa e o substrato.

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The Role of Plasma in PECVD Coatings

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O PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é um tipo de processo de deposição de película fina que é amplamente utilizado para criar revestimentos em vários substratos. Neste processo, é utilizado um plasma para depositar películas finas de vários materiais num substrato.

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Um guia completo para a manutenção de equipamento PECVD

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A manutenção adequada do equipamento PECVD é crucial para garantir o seu desempenho ótimo, longevidade e segurança.

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Comparação do desempenho de PECVD e HPCVD em aplicações de revestimento

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Embora tanto o PECVD como o HFCVD sejam utilizados para aplicações de revestimento, diferem em termos de métodos de deposição, desempenho e adequação a aplicações específicas.

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Compreender o método PECVD

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O PECVD é um processo de deposição de vapor químico melhorado por plasma que é amplamente utilizado na produção de películas finas para várias aplicações.

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Um guia completo para fornos de tubos divididos: Aplicações, características

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It is accurate that a split tube furnace is a type of laboratory equipment that consists of a hollow tube or chamber that can be opened to allow for the insertion and removal of samples or materials being heated.

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Porque é que o PECVD é essencial para o fabrico de dispositivos microelectrónicos

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O PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) é uma técnica popular de deposição de película fina utilizada no fabrico de dispositivos microelectrónicos.

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Um guia para principiantes sobre máquinas MPCVD

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O MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) é um processo utilizado para depositar películas finas de material num substrato utilizando plasma gerado por micro-ondas.

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máquina pecvd materiais de deposição de película fina