A deposição química em fase vapor (CVD) é o método utilizado para depositar películas finas isolantes. Este método envolve a introdução de um gás ou vapor numa câmara de processamento, onde sofre uma reação química, resultando na deposição de uma fina camada de material sobre o substrato. O substrato é frequentemente aquecido para acelerar o processo e melhorar a qualidade da camada fina formada. A CVD é altamente precisa e controlável, o que a torna adequada para a criação de películas finas com características e particularidades específicas.
No contexto do fabrico de dispositivos semicondutores, são utilizadas várias técnicas de CVD, como a CVD enriquecida com plasma (PECVD), a CVD com plasma de alta densidade (HDP-CVD) e a deposição em camada atómica (ALD), para formar camadas isolantes críticas. Estas camadas são essenciais para isolar e proteger as estruturas eléctricas no interior dos dispositivos. A escolha da técnica CVD depende dos requisitos específicos do material e da estrutura do dispositivo que está a ser fabricado.
Em geral, a CVD é um método versátil e preciso para depositar películas finas isolantes, cruciais para a funcionalidade e o desempenho de vários dispositivos electrónicos e ópticos.
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