O processo de Deposição Química em Vapor (CVD) envolve a deposição de películas finas num substrato através da reação de gases precursores.
Este processo é crucial em várias aplicações, incluindo o fabrico de semicondutores, revestimentos para materiais e a criação de nanomateriais.
6 passos explicados
1. Introdução de gases precursores
O processo começa com a introdução de gases precursores numa câmara de reação.
Estes gases são normalmente fornecidos através de um sistema de gestão de gases e fluem para um tubo de quartzo aquecido.
2. Reação e deposição
À medida que os gases fluem sobre o substrato aquecido, reagem e decompõem-se, depositando uma película fina na superfície do substrato.
Esta reação ocorre devido às elevadas temperaturas e à pressão controlada no interior da câmara.
3. Formação da camada limite
Forma-se uma camada limite à medida que a velocidade do gás diminui para zero no substrato, facilitando o processo de deposição.
4. Nucleação e crescimento
Formam-se aglomerados ou núcleos de tamanho crítico que se transformam em cristais estáveis, influenciados por vários factores, como a temperatura do substrato, a geometria e a composição química.
5. Evaporação e controlo dos precursores
Os precursores líquidos ou sólidos são aquecidos até ao estado gasoso e introduzidos no reator.
A taxa de evaporação do gás é cuidadosamente controlada para atingir a espessura de película desejada.
6. Cinética e termodinâmica
O processo envolve cinética e termodinâmica de reação complexas, exigindo altas temperaturas e baixas pressões para uma deposição eficiente.
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