O processo de deposição de silício envolve a aplicação de camadas finas de silício em substratos como o silício ou o vidro através de métodos físicos ou químicos. As principais técnicas utilizadas são a deposição física de vapor (PVD) e a deposição química de vapor (CVD). A espessura destas camadas pode variar entre alguns nanómetros e vários micrómetros.
Deposição de vapor químico (CVD) para a deposição de silício:
A CVD é um método amplamente utilizado para depositar camadas de silício. Envolve a pirólise ou a decomposição térmica do silano (SiH4), o que resulta na deposição de silício sólido no substrato com hidrogénio como gás de escape. Este processo é normalmente conduzido num forno de deposição química de vapor a baixa pressão (LPCVD) de parede quente. Os engenheiros diluem frequentemente o silano com um gás de arrastamento de hidrogénio para suprimir a decomposição do silano em fase gasosa, o que poderia levar à rugosidade da película devido à queda de partículas de silício sobre a película em crescimento.Deposição de polissilício:
O polissilício, que tem uma resistividade mais elevada do que o silício monocristalino com o mesmo nível de dopagem, é formado através deste processo. A maior resistividade deve-se ao facto de os dopantes se segregarem ao longo dos limites dos grãos, reduzindo o número de átomos dopantes dentro dos grãos, e aos defeitos nestes limites que diminuem a mobilidade dos portadores. Os limites de grão também contêm muitas ligações pendentes que podem reter portadores livres.
Reacções alternativas para a deposição de nitreto de silício (SiNH):
No plasma, o nitreto de silício pode ser depositado utilizando duas reacções que envolvem silano (SiH4) e azoto (N2) ou amoníaco (NH3). Estas películas têm uma tensão de tração mais baixa, mas apresentam propriedades eléctricas mais fracas em termos de resistividade e de rigidez dieléctrica.Deposição de metais em CVD:
A CVD é também utilizada para a deposição de metais como o tungsténio, o alumínio e o cobre, que são cruciais para a formação de contactos condutores e de tampões em dispositivos semicondutores. A deposição de tungsténio, por exemplo, pode ser conseguida utilizando hexafluoreto de tungsténio (WF6) através de diferentes reacções. Outros metais como o molibdénio, o tântalo, o titânio e o níquel são também depositados por CVD, formando frequentemente silicetos úteis quando depositados sobre silício.
Deposição de dióxido de silício:
