Ao comparar a Deposição de Vapor Químico com Plasma (PECVD) e a Deposição de Vapor Químico (CVD), as principais diferenças residem na forma como o processo de deposição é ativado e nas temperaturas necessárias.
4 Principais diferenças entre PECVD e CVD
1. Mecanismo de ativação
O PECVD utiliza plasma para iniciar e manter reacções químicas a temperaturas mais baixas.
A CVD baseia-se na energia térmica, normalmente a temperaturas mais elevadas.
2. Requisitos de temperatura
O PECVD permite a deposição a temperaturas próximas da ambiente, o que é vantajoso para materiais sensíveis a temperaturas elevadas.
A CVD requer temperaturas elevadas para conduzir as reacções químicas que levam à deposição de películas finas no substrato.
3. Descrição do processo
Processo PECVD:
O PECVD é um processo de deposição de películas finas em vácuo que utiliza plasma para ativar o gás ou vapor de origem.
O plasma é gerado por uma fonte eléctrica, criando iões quimicamente activos e radicais que participam em reacções heterogéneas.
Este método é ideal para materiais como os plásticos que não suportam temperaturas elevadas.
Processo CVD:
O CVD baseia-se na energia térmica para ativar a decomposição de uma espécie precursora de vapor químico.
Esta redução é normalmente realizada utilizando hidrogénio a temperaturas elevadas.
As temperaturas elevadas são necessárias para facilitar as reacções que conduzem à deposição de películas finas.
4. Comparação e vantagens
A principal vantagem da PECVD em relação à CVD é a sua capacidade de depositar películas finas a temperaturas significativamente mais baixas.
Esta capacidade alarga a gama de substratos possíveis para incluir materiais que não suportam as altas temperaturas dos processos convencionais de CVD.
O PECVD pode depositar uma gama mais vasta de materiais de revestimento devido à maior atividade química facilitada pelo plasma.
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