A deposição química de vapor a baixa pressão (LPCVD) é uma técnica utilizada para depositar películas finas em substratos.
A taxa de deposição em LPCVD é influenciada por vários factores.
Estes factores incluem a temperatura, a pressão, as taxas de fluxo de gás e as reacções químicas específicas envolvidas.
Qual é a taxa de deposição do Lpcvd (4 factores-chave explicados)
1. Temperatura
A temperatura desempenha um papel crucial na taxa de deposição do LPCVD.
Os sistemas LPCVD podem ser controlados com precisão, funcionando frequentemente entre 350 e 400°C.
A taxa de deposição depende muito da taxa de reacções superficiais, que aumentam com a temperatura.
2. Pressão
O LPCVD funciona a pressões subatmosféricas, variando normalmente entre 0,1 e 10 Torr.
Esta baixa pressão aumenta a difusão do gás e reduz as reacções indesejadas da fase gasosa.
Consequentemente, permite melhorar a uniformidade da película e as taxas de deposição.
3. Caudais de gás
A taxa de deposição em LPCVD pode ser ajustada alterando o rácio de gases precursores.Por exemplo, o aumento da razão DCS/NH3 diminui a taxa de deposição.Isto indica que as reacções químicas entre estes gases influenciam significativamente a taxa de crescimento da película. 4. Química específica dos gases precursores A química específica dos gases precursores também desempenha um papel vital.
