A taxa de deposição na deposição em fase vapor por processo químico a baixa pressão (LPCVD) é influenciada por vários factores, incluindo a temperatura, a pressão, os caudais de gás e as reacções químicas específicas envolvidas. O LPCVD funciona a pressões subatmosféricas, normalmente entre 0,1 e 10 Torr, o que melhora a difusão do gás e reduz as reacções indesejadas da fase gasosa, conduzindo a uma melhor uniformidade da película e taxas de deposição. A temperatura nos sistemas LPCVD pode ser controlada com precisão, variando frequentemente entre 350 e 400°C, o que é crucial para o controlo da taxa de deposição, uma vez que esta depende fortemente da taxa de reacções superficiais, que aumentam com a temperatura.
A taxa de deposição em LPCVD pode ser ajustada alterando o rácio de gases precursores. Por exemplo, o aumento da razão DCS/NH3 diminui a taxa de deposição, indicando que as reacções químicas entre estes gases desempenham um papel significativo na determinação da taxa de crescimento da película. Esta manipulação dos rácios de gás permite o ajuste fino do processo de deposição para obter as propriedades e espessuras de película desejadas.
A LPCVD é conhecida pelas suas elevadas taxas de deposição em comparação com os óxidos crescidos termicamente, o que a torna um método preferido para aplicações que requerem a formação rápida de películas. A elevada taxa de deposição é atribuída ao transporte eficiente de gás e aos mecanismos de reação facilitados pelo ambiente de baixa pressão, que permite a rápida difusão dos reagentes para a superfície do substrato e a remoção de subprodutos.
Em resumo, a taxa de deposição em LPCVD é uma função da temperatura, da pressão, dos caudais de gás e da química específica dos gases precursores. A capacidade de controlar estes parâmetros com precisão permite a otimização das taxas de deposição para satisfazer os requisitos de aplicações específicas, tornando o LPCVD um método versátil e eficiente para a deposição de películas finas no fabrico de semicondutores e noutras indústrias de alta tecnologia.
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