Compreender as diferenças entre a Deposição em Vapor Físico (PVD) e a Deposição em Vapor Químico (CVD) é crucial para qualquer pessoa envolvida em processos de deposição de película fina.
5 pontos-chave para compreender
1. Método de Criação de Vapor
Na PVD, o vapor é criado através de meios físicos, como o aquecimento ou a pulverização catódica.
A CVD envolve reacções químicas de precursores gasosos na superfície do substrato para formar uma película fina.
2. Natureza do processo de deposição
A PVD envolve a ionização de moléculas de gás, que depois se dissociam em átomos e se condensam para formar uma película fina.
A CVD envolve a introdução de um gás numa câmara de reação onde reage quimicamente com um material sólido para criar uma película fina.
3. Aspectos fundamentais de cada processo
O aspeto fundamental da PVD é que a formação e a deposição de vapor são processos puramente físicos, sem reacções químicas envolvidas.
A caraterística crítica da CVD é a reação química que ocorre na superfície do substrato, que leva à formação da película.
4. Adequação a aplicações específicas
A CVD é normalmente utilizada para películas finas que variam entre alguns nanómetros e alguns micrómetros e não é adequada para películas mais espessas ou estruturas tridimensionais.
A PVD pode ser mais versátil, dependendo da técnica específica utilizada.
5. Técnicas de PVD e CVD
No âmbito da PVD, as técnicas incluem a evaporação por canhão eletrónico, a evaporação por arco catódico, a pulverização catódica e a epitaxia por feixe molecular.
As técnicas de CVD incluem a CVD térmica (convencional) e a CVD activada por plasma (PECVD).
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