Os dois principais métodos de deposição são a deposição física de vapor (PVD) e a deposição química de vapor (CVD).
1. Deposição física de vapor (PVD): Na PVD, um vapor é criado por aquecimento ou pulverização catódica de um material sólido e o vapor condensa-se num substrato para formar uma película fina. O vapor é constituído por átomos e moléculas que se condensam simplesmente no substrato sem sofrerem qualquer reação química. Os métodos de PVD incluem a evaporação e a pulverização.
2. Deposição química de vapor (CVD): Na CVD, um vapor sofre uma reação química na superfície do substrato para formar uma película fina. A reação é normalmente iniciada pela reação de um fluido precursor com o substrato. Os métodos de CVD incluem a deposição por banho químico, a galvanoplastia, a epitaxia por feixe molecular, a oxidação térmica e a CVD enriquecida com plasma (PECVD).
Tanto a PVD como a CVD são utilizadas para criar películas finas de diferentes materiais em vários substratos. A escolha entre os dois métodos depende de factores como o custo, a espessura da película, a disponibilidade do material de origem e o controlo da composição. A PVD é adequada para situações em que uma simples condensação de átomos ou moléculas é suficiente, enquanto a CVD é preferida quando é necessária uma reação química para formar a película fina desejada.
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