A deposição de polissilício por LPCVD é um processo crítico no fabrico de semicondutores.
Compreender a gama de temperaturas é essencial para obter as propriedades desejadas da película.
5 pontos-chave a saber sobre a temperatura do polissilício LPCVD
1. Faixa de temperatura padrão
O intervalo de temperatura típico para a deposição de polissilício LPCVD situa-se entre 600 e 650 graus Celsius.
2. Variabilidade da temperatura
Os processos LPCVD podem ser efectuados a temperaturas tão baixas como 425 graus Celsius ou tão altas como 900 graus Celsius, dependendo da aplicação específica e das propriedades desejadas da película.
3. Taxa de crescimento
A taxa de crescimento do polissilício durante a LPCVD situa-se entre 10 e 20 nm por minuto a temperaturas entre 600 e 650 graus Celsius e pressões entre 25 e 150 Pa.
4. Influência dos gases
A utilização de diferentes gases, como a fosfina, a arsina ou o diborano, pode afetar a taxa de crescimento e as propriedades da película de polissilício depositada.
5. Caraterísticas da película
As películas de polissilício LPCVD têm um teor de hidrogénio mais elevado e podem conter orifícios em comparação com as películas depositadas por outros métodos, como o PECVD.
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