Quando se trata de depositar materiais num substrato, são normalmente utilizados dois métodos principais: deposição química de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD).
4 Principais Diferenças entre a Deposição Química de Vapor (CVD) e a Deposição Física de Vapor (PVD)
1. Método de deposição
Deposição de Vapor Químico (CVD): Na CVD, os gases reagentes são introduzidos numa câmara onde sofrem reacções químicas na superfície do substrato. Estas reacções conduzem à formação de uma película sólida.
Deposição Física de Vapor (PVD): A PVD utiliza métodos físicos para transformar o estado da substância de sólido em gás e de novo em sólido, sem envolver reacções químicas.
2. Tipos de materiais depositados
Deposição química de vapor (CVD): A CVD é normalmente utilizada para depositar dieléctricos como o dióxido de silício e o nitreto de silício. O processo inclui vários tipos, como a deposição de vapor químico à pressão atmosférica (APCVD), a deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD), a deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD) e a deposição de vapor químico com plasma (PECVD).
Deposição Física de Vapor (PVD): A PVD é normalmente utilizada para depositar metais e pode também ser utilizada para depositar óxidos e semicondutores utilizando técnicas como a evaporação por feixe de electrões.
3. Impacto ambiental
Deposição química em fase vapor (CVD): Devido ao seu processo baseado em reacções químicas, a CVD pode produzir novas substâncias e potencialmente gerar mais poluição.
Deposição Física de Vapor (PVD): O PVD é considerado mais amigo do ambiente, uma vez que não produz novas substâncias durante o processo de deposição, reduzindo assim a poluição.
4. Utilização e aplicações
Deposição química de vapor (CVD): A CVD é escolhida com base nos requisitos específicos da aplicação, incluindo o tipo de material a depositar e as propriedades desejadas da película.
Deposição de vapor físico (PVD): O PVD é cada vez mais preferido nas indústrias que dão prioridade à sustentabilidade ambiental.
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