A deposição de vapor químico enriquecida com plasma (PECVD) é um processo que envolve a deposição de películas finas num substrato a baixas temperaturas, utilizando o plasma para reforçar as reacções químicas.
Este processo é essencial na indústria dos semicondutores para depositar materiais em superfícies que não suportam temperaturas elevadas.
4 etapas principais do fluxo de trabalho PECVD
1. Configuração e introdução de gás
Um sistema PECVD é constituído por dois eléctrodos: um ligado à terra e outro energizado por RF.
Os gases reactivos são introduzidos entre estes eléctrodos.
2. Geração de plasma
A energia de RF (normalmente a 13,56 MHz) gera um plasma entre os eléctrodos através do acoplamento capacitivo.
Esta ionização do gás cria espécies reactivas.
3. Reacções químicas
As espécies reactivas sofrem reacções químicas, impulsionadas pela energia do plasma.
Isto forma uma película na superfície do substrato.
4. Crescimento da película
As espécies reactivas difundem-se através da bainha até atingirem o substrato.
Adsorvem e interagem, levando ao crescimento da película.
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