O PECVD, ou deposição de vapor químico enriquecido com plasma, é uma técnica de deposição a baixa temperatura que utiliza o plasma para melhorar o processo de deposição. Este método é capaz de depositar uma vasta gama de materiais, tornando-o uma ferramenta versátil em várias indústrias.
Que materiais são depositados em PECVD? (Explicação de 4 materiais principais)
1. Filmes à base de silício
- Polissilício: Este material é amplamente utilizado em dispositivos semicondutores. O polissilício é depositado por PECVD a baixas temperaturas, o que é essencial para preservar a integridade do substrato.
- Óxido de silício e nitreto de silício: Estes materiais são normalmente utilizados como isoladores e camadas de passivação em dispositivos microelectrónicos. A PECVD permite a sua deposição a temperaturas inferiores a 400°C, o que é vantajoso para substratos sensíveis à temperatura.
2. Carbono tipo diamante (DLC)
- O DLC é uma forma de carbono amorfo conhecida pela sua dureza significativa. É utilizado em aplicações que requerem elevada resistência ao desgaste e baixa fricção. A PECVD é eficaz na deposição de DLC devido à sua capacidade de lidar com produtos químicos complexos a baixas temperaturas.
3. Compostos metálicos
- Óxidos, nitretos e boretos: Estes materiais são utilizados em várias aplicações, incluindo revestimentos duros, isoladores eléctricos e barreiras de difusão. A capacidade do PECVD para depositar estes materiais a baixas temperaturas torna-o adequado para uma vasta gama de substratos.
4. Aplicações
- As películas PECVD desempenham um papel crucial em muitos dispositivos, servindo como encapsulantes, camadas de passivação, máscaras duras e isoladores. São também utilizadas em revestimentos ópticos, afinação de filtros RF e como camadas de sacrifício em dispositivos MEMS.
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