O processo CVD (Chemical Vapor Deposition) envolve várias etapas:
1. Alimentação do precursor: Os precursores químicos são introduzidos no reator de CVD. Estes precursores podem ser gases ou vapores que irão reagir para formar a película fina desejada no substrato.
2. Transporte para a superfície do substrato: Uma vez no interior do reator, as moléculas precursoras têm de ser transportadas para a superfície do substrato. Isto é normalmente conseguido através de uma combinação de transporte de fluidos e difusão.
3. Adsorção: As moléculas precursoras que atingem a superfície do substrato devem então adsorver-se a ela. A adsorção é o processo pelo qual as moléculas precursoras aderem à superfície.
4. Reacções de superfície: Uma vez adsorvidas, as moléculas precursoras sofrem reacções químicas na superfície do substrato ou na sua proximidade. Estas reacções podem ser térmicas ou assistidas por plasma, dependendo do método CVD específico utilizado.
5. Dessorção: Após a ocorrência das reacções à superfície, as moléculas de subprodutos e as moléculas de precursores que não reagiram têm de ser dessorvidas da superfície do substrato. Isto permite que haja espaço para a entrada de mais moléculas precursoras para continuar o processo de deposição.
6. Tratamento de resíduos: O processo CVD pode produzir materiais residuais, subprodutos e gases precursores que não reagiram. Estes têm de ser tratados e removidos da câmara de reação para manter um ambiente limpo e evitar a contaminação.
Globalmente, o processo CVD envolve o fluxo de gases precursores para uma câmara, o transporte para a superfície do substrato, a adsorção, as reacções superficiais, a dessorção e o tratamento de resíduos. As condições específicas, como a temperatura, a pressão e o tipo de gases precursores, podem variar consoante a deposição de película fina pretendida e o método CVD específico que está a ser utilizado.
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