O processo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) é uma técnica utilizada para depositar películas finas de um estado gasoso para um estado sólido num substrato. Este processo envolve a utilização de plasma para ativar o gás ou vapor de origem, permitindo a deposição de revestimentos a temperaturas mais baixas em comparação com os processos convencionais de CVD. Isto torna-o adequado para uma gama mais vasta de substratos, incluindo materiais de baixo ponto de fusão e até plásticos em alguns casos.
O processo PECVD começa com a introdução de uma mistura de gases precursores num reator. Em seguida, é criado um plasma utilizando energia RF a 13,56 MHz, que inflama e sustenta a descarga incandescente entre dois eléctrodos paralelos. Este plasma é responsável pela criação de espécies reactivas e energéticas através de colisões.
Estas espécies reactivas difundem-se através da bainha e adsorvem-se na superfície do substrato, onde interagem e formam uma camada de material. A energia do plasma, e não apenas a energia térmica, impulsiona as reacções entre as espécies excitadas e o substrato, permitindo a deposição de películas finas a temperaturas mais baixas, sem deixar de atingir as propriedades desejadas.
Em resumo, o processo PECVD é uma técnica de deposição de películas finas em vácuo a baixa temperatura que utiliza plasma para ativar gases de origem e depositar revestimentos numa vasta gama de substratos. Este método é particularmente útil na indústria de semicondutores, onde permite a deposição de revestimentos em superfícies que não suportam as temperaturas dos processos CVD mais convencionais.
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