No que diz respeito à deposição de nitreto de silício (SiN), dois métodos comuns são o LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) e o PECVD (Deposição Química de Vapor com Plasma).
4 Principais diferenças entre LPCVD SiN e PECVD SiN
1. Temperatura de deposição
- O SiN LPCVD é depositado a uma temperatura mais elevada do que o SiN PECVD.
- O LPCVD requer normalmente temperaturas superiores a 800°C.
- O PECVD pode ser efectuado a temperaturas mais baixas, frequentemente abaixo dos 400°C.
2. Necessidade de substrato
- O LPCVD requer um substrato de silício.
- O PECVD pode utilizar um substrato à base de tungsténio.
- O LPCVD depende da presença de um substrato de silício para o processo de deposição.
- A PECVD não necessita necessariamente de um substrato de silício.
3. Caraterísticas da película
- O SiN por LPCVD proporciona uma película com uma taxa de corrosão inferior à do SiN por PECVD.
- As películas LPCVD têm um teor de hidrogénio mais elevado e podem conter pinholes, mas têm uma vida útil mais longa.
- As películas PECVD têm um teor de hidrogénio mais baixo e são normalmente utilizadas para camadas de passivação devido às suas caraterísticas estequiométricas, de baixa pressão ou de super-baixa tensão.
4. Taxa de deposição
- A LPCVD tem uma taxa de deposição mais baixa do que a PECVD.
- A PECVD oferece uma taxa de deposição mais elevada e mais flexibilidade em termos de taxas de crescimento.
Em resumo, o LPCVD SiN é normalmente utilizado quando uma temperatura de deposição mais elevada não é uma preocupação e se pretende uma taxa de corrosão mais baixa. Requer um substrato de silício e tem uma taxa de deposição mais lenta. Por outro lado, o PECVD SiN é utilizado quando é necessária uma temperatura de deposição baixa e são desejadas taxas de crescimento mais rápidas. Pode ser depositado em vários substratos e apresenta boas caraterísticas de camada de passivação.
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