No que diz respeito à Deposição Química de Vapor (CVD), existem dois tipos principais: CVD de parede quente e CVD de parede fria.
Explicação das 4 principais diferenças
1. Método de aquecimento e distribuição de temperatura
A principal diferença entre a CVD de parede quente e a CVD de parede fria é a forma como são aquecidas.
Na CVD de parede quente, toda a câmara, incluindo as paredes e o substrato, é aquecida para atingir uma temperatura uniforme.
Por outro lado, a CVD de parede fria aquece apenas o substrato, mantendo as paredes da câmara à temperatura ambiente.
2. Impacto na uniformidade da deposição
Esta diferença nos métodos de aquecimento tem impacto na uniformidade da deposição.
A CVD de parede quente, com o seu aquecimento uniforme, pode conduzir a uma distribuição mais consistente da temperatura ao longo do substrato, melhorando potencialmente a uniformidade da deposição.
No entanto, o risco de contaminação por depósitos nas paredes do reator é maior.
Na CVD de parede fria, o aquecimento localizado do substrato permite um arrefecimento mais rápido, o que é benéfico em processos em que o sobreaquecimento pode ser problemático.
3. Eficiência e custo do processo
A CVD de parede quente facilita o processamento em lote, tornando a sua implementação relativamente simples.
No entanto, a desvantagem é que a deposição também ocorre nas paredes do reator, o que pode levar à formação de pós e flocos que podem cair sobre o substrato, afectando potencialmente a qualidade da deposição.
A CVD a frio, com a sua conceção mais simples do reator, tempos de deposição mais curtos e aquecimento e arrefecimento rápidos do substrato, permite reduzir os custos associados à manutenção das condições do processo.
4. Adequação a diferentes aplicações
A escolha entre a CVD de parede quente e a CVD de parede fria depende dos requisitos específicos da aplicação.
A CVD de parede quente é adequada para aplicações que exigem uma distribuição consistente da temperatura e uma deposição uniforme.
A CVD de parede fria é particularmente adequada para aplicações que requerem alto rendimento e processamento rápido, como a produção de materiais de grafeno.
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