O processo de deposição de vapor químico por plasma de alta densidade (HDPCVD) é uma técnica sofisticada utilizada no fabrico de semicondutores.
Permite a deposição de películas finas a temperaturas mais baixas, com maior qualidade e densidade, em comparação com os métodos convencionais de deposição de vapor químico com plasma (PECVD).
Este processo é particularmente eficaz para preencher lacunas dieléctricas microscópicas, como as que se encontram no isolamento de trincheiras pouco profundas (STI) e nas camadas intermédias dieléctricas em tecnologias avançadas de semicondutores.
O que é o processo de deposição química de vapor por plasma de alta densidade? 5 etapas principais explicadas
1. Preparação e configuração
O processo começa com a preparação de um substrato semicondutor e a sua colocação numa câmara de processamento especializada.
2. Geração de plasma de alta densidade
O oxigénio e um gás fonte de silício são introduzidos na câmara para gerar um plasma de alta densidade.
Este plasma é formado utilizando uma fonte de plasma de acoplamento indutivo, que é mais eficiente do que o plasma de acoplamento capacitivo utilizado no PECVD.
3. Deposição e gravura simultâneas
O aspeto único da HDPCVD é a sua capacidade de efetuar simultaneamente a deposição e o ataque químico na mesma câmara.
Isto é conseguido controlando o fluxo de iões e a energia de forma independente, o que ajuda a preencher lacunas de elevado rácio de aspeto sem formar vazios ou pinch-offs.
4. Controlo da temperatura
O substrato é aquecido a uma gama de 550 a 700 graus Celsius durante o processo, assegurando condições óptimas para a deposição e gravação da película.
5. Injeção de gás
Vários gases, incluindo oxigénio, gases de silício (como silano ou dissilano) e gases de gravação (como fluoreto de silício) são cuidadosamente injectados na câmara para facilitar os processos de deposição e gravação.
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