A deposição química de vapor (CVD) é um processo utilizado para produzir materiais sólidos de alta qualidade e elevado desempenho, envolvendo normalmente a reação de precursores gasosos em condições de vácuo. O processo é utilizado principalmente para depositar películas finas e revestimentos em vários substratos, tais como semicondutores, painéis solares e outros materiais.
O processo começa com a introdução de precursores voláteis numa câmara de reação, que é mantida sob condições de vácuo. Estes precursores são aquecidos a uma temperatura de reação específica, fazendo-os reagir ou decompor-se, formando o material de revestimento desejado. Este material liga-se então à superfície do substrato, acumulando-se uniformemente ao longo do tempo.
Existem vários tipos de processos CVD, incluindo o CVD normal, a deposição de vapor químico com plasma (PECVD) e a deposição de vapor químico com plasma indutivamente acoplado (ICPCVD). Cada um destes métodos tem as suas vantagens e aplicações únicas, dependendo dos requisitos específicos do material que está a ser depositado.
A CVD padrão é uma técnica bem estabelecida para depositar uma grande variedade de películas com diferentes composições e espessuras. O PECVD, por outro lado, utiliza plasma para melhorar as reacções químicas, permitindo a deposição de camadas de passivação de alta qualidade ou máscaras de alta densidade. A ICPCVD utiliza uma fonte de plasma indutivamente acoplada para obter plasmas de alta densidade, permitindo a deposição de películas de alta qualidade a temperaturas mais baixas.
Em resumo, a deposição química de vapor é um processo versátil e amplamente utilizado para depositar películas finas e revestimentos de alta qualidade em vários substratos. Ao controlar cuidadosamente as condições de reação e os precursores, a CVD pode ser adaptada para produzir uma vasta gama de materiais, incluindo metais, semicondutores e dieléctricos.
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