A deposição química de vapor (CVD) é um processo utilizado para produzir materiais sólidos de alta qualidade e elevado desempenho.
Normalmente, envolve a reação de precursores gasosos em condições de vácuo.
O processo é utilizado principalmente para depositar películas finas e revestimentos em vários substratos.
Estes substratos incluem semicondutores, painéis solares e outros materiais.
5 pontos-chave explicados
1. Introdução de Precursores Voláteis
O processo começa com a introdução de precursores voláteis numa câmara de reação.
A câmara de reação é mantida sob condições de vácuo.
2. Aquecimento e reação
Estes precursores são aquecidos a uma temperatura de reação específica.
O aquecimento provoca a sua reação ou decomposição, formando o material de revestimento desejado.
3. Ligação ao substrato
Este material liga-se então à superfície do substrato.
A sua formação é uniforme ao longo do tempo.
4. Tipos de processos CVD
Existem vários tipos de processos de CVD.
Estes incluem a CVD normal, a deposição de vapor químico com plasma (PECVD) e a deposição de vapor químico com plasma indutivamente acoplado (ICPCVD).
Cada método tem as suas vantagens e aplicações únicas.
5. Versatilidade e controlo
A CVD é um processo versátil para a deposição de películas finas e revestimentos de alta qualidade.
Ao controlar cuidadosamente as condições de reação e os precursores, a CVD pode produzir uma vasta gama de materiais.
Estes materiais incluem metais, semicondutores e dieléctricos.
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