A deposição química de vapor a baixa pressão (LPCVD) é uma técnica utilizada na indústria eletrónica para depositar camadas finas de materiais num substrato utilizando gases reactivos a baixas pressões.
5 Materiais-chave que deve conhecer
1. Polissilício
O polissilício é um material normalmente utilizado nos processos LPCVD.
É formado pela reação de gases como o silano (SiH4) ou o diclorosilano (SiH2Cl2) a temperaturas que variam normalmente entre 600°C e 650°C.
A deposição de polissilício é crucial no fabrico de dispositivos semicondutores, particularmente na formação de eléctrodos de porta e interligações.
2. Nitreto de silício
O nitreto de silício é outro material frequentemente depositado por LPCVD.
É conhecido pelas suas excelentes propriedades de barreira contra a humidade e outros contaminantes, o que o torna ideal para utilização em camadas de passivação e como isolante em condensadores.
O processo de deposição envolve normalmente a reação de gases como o diclorosilano (SiH2Cl2) e o amoníaco (NH3) a temperaturas entre 700°C e 800°C.
A película resultante é densa e tem uma boa estabilidade térmica e química.
3. Óxido de silício
O óxido de silício é frequentemente utilizado em LPCVD para aplicações como dieléctricos de porta e dieléctricos entre camadas.
É formado pela reação de gases como o silano (SiH4) e o oxigénio (O2) ou pela utilização de tetraetilortosilicato (TEOS) e ozono (O3) a temperaturas entre 400°C e 500°C.
A camada de óxido de silício proporciona um bom isolamento elétrico e pode ser facilmente integrada em vários processos de fabrico de semicondutores.
4. Uniformidade e qualidade
Os processos LPCVD são favorecidos pela sua capacidade de produzir películas uniformes e de alta qualidade com boa reprodutibilidade.
A baixa pressão utilizada nestes processos minimiza as reacções indesejadas da fase de vapor, melhorando a uniformidade e a qualidade das películas depositadas.
Além disso, o controlo preciso da temperatura no LPCVD garante excelentes uniformidades no interior de cada wafer, de wafer para wafer e de ciclo para ciclo, que são fundamentais para o desempenho e a fiabilidade dos dispositivos semicondutores.
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