A temperatura de deposição do SiN (nitreto de silício) LPCVD situa-se normalmente entre 700 e 800°C. Esta gama é escolhida para garantir a formação de uma camada de nitreto de silício densa, amorfa e quimicamente estável, que é crucial para várias aplicações de semicondutores.
Explicação:
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Gama de temperaturas: A deposição de nitreto de silício utilizando LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) é efectuada a temperaturas entre 700 e 800°C. Esta gama de temperaturas é crítica, uma vez que permite a reação adequada entre o diclorosilano (SiCl2H2) e o amoníaco (NH3) para formar nitreto de silício (Si3N4) e subprodutos como o ácido clorídrico (HCl) e o hidrogénio (H2).
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Química da reação: A reação química envolvida no processo de deposição é a seguinte:
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[\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl} + 2\text{H}_2
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]Esta reação requer temperaturas elevadas para prosseguir eficazmente, garantindo a deposição de uma camada de nitreto de silício de alta qualidade.
Qualidade da película depositada
: A estas temperaturas, a camada de nitreto de silício formada é amorfa, densa e apresenta uma boa estabilidade química e térmica. Estas propriedades são essenciais para a sua utilização no fabrico de semicondutores, onde serve de máscara para oxidação selectiva, de máscara dura para processos de gravação e de dielétrico em condensadores.
