Quando se trata de depositar SiN (nitreto de silício) LPCVD, a temperatura desempenha um papel crucial.
A que temperatura é depositado o LPCVD SiN? (4 factores-chave explicados)
1. Gama de temperaturas
A deposição de nitreto de silício por LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) é efectuada a temperaturas entre 700 e 800°C.
Esta gama de temperaturas é crítica, pois permite a reação adequada entre o diclorosilano (SiCl2H2) e o amoníaco (NH3) para formar nitreto de silício (Si3N4) e subprodutos como o ácido clorídrico (HCl) e o hidrogénio (H2).
2. Química da reação
A reação química envolvida no processo de deposição é a seguinte
[ \text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl} + 2\text{H}_2 ]
Esta reação requer temperaturas elevadas para prosseguir eficazmente, assegurando a deposição de uma camada de nitreto de silício de elevada qualidade.
3. Qualidade da película depositada
A estas temperaturas, a camada de nitreto de silício formada é amorfa, densa e apresenta uma boa estabilidade química e térmica.
Estas propriedades são essenciais para a sua utilização no fabrico de semicondutores, onde serve de máscara para oxidação selectiva, de máscara dura para processos de gravação e de dielétrico em condensadores.
4. Controlo do processo
O processo LPCVD a estas temperaturas também permite um melhor controlo das propriedades da película, como a sua tensão (tração ou compressão), que pode ser ajustada com base em requisitos específicos da aplicação.
Este controlo é crucial para garantir a fiabilidade e o desempenho dos circuitos integrados em que esta camada de nitreto de silício é utilizada.
Em resumo, a deposição de nitreto de silício por LPCVD é realizada de forma óptima a temperaturas entre 700 e 800°C, facilitando a formação de uma película estável e de alta qualidade, essencial para vários processos de fabrico de semicondutores.
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