Quando se trata de deposição química de vapor (CVD), dois métodos comuns são LPCVD e PECVD.
Estes métodos têm diferenças significativas que afectam as suas aplicações e a qualidade das películas que produzem.
5 Principais diferenças entre LPCVD e PECVD
1. Temperatura de deposição
O LPCVD funciona normalmente a temperaturas mais elevadas, que variam entre 500 e 1100°C.
O PECVD, por outro lado, funciona a temperaturas mais baixas, entre 200 e 400°C.
A temperatura mais baixa no PECVD é ideal para aplicações em que as preocupações com o ciclo térmico ou as limitações do material são um fator.
2. Qualidade da película
As películas LPCVD são geralmente de qualidade superior às películas PECVD.
As películas LPCVD têm um tempo de vida mais longo e taxas de deposição mais elevadas.
Quase não têm teor de hidrogénio e são mais resistentes a furos.
As películas PECVD têm uma qualidade inferior devido às temperaturas de deposição mais baixas e ao maior teor de hidrogénio, que pode causar tensões e afetar o desempenho do dispositivo.
3. Tipos de películas
A LPCVD utiliza principalmente películas à base de silício.
Deposita normalmente películas de nitreto de silício, que são normalmente utilizadas como stressors e etch stops.
A PECVD pode produzir películas à base de silício e de tungsténio.
A PECVD é conhecida por produzir películas de óxido de silício.
4. Processo
O LPCVD utiliza um ambiente de reator tubular de parede quente para fornecer energia aos reagentes.
O PECVD utiliza plasma para fornecer energia aos reagentes.
O plasma no PECVD permite um processo de deposição mais controlado e a temperaturas mais baixas.
5. Aplicações
A LPCVD é normalmente utilizada para a deposição de silício epitaxial.
No entanto, a sua capacidade é limitada em comparação com a PECVD.
A PECVD é mais versátil e pode ser utilizada para uma vasta gama de aplicações, incluindo a deposição de películas finas, camadas de barreira, passivação e camadas isolantes.
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