Conhecimento O que se entende por deposição física de vapor e deposição química de vapor? 5 diferenças fundamentais explicadas
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Atualizada há 3 semanas

O que se entende por deposição física de vapor e deposição química de vapor? 5 diferenças fundamentais explicadas

A deposição física de vapor (PVD) e a deposição química de vapor (CVD) são dois métodos distintos utilizados para depositar películas finas em substratos.

A PVD envolve a transformação física de estados materiais de sólido ou líquido para gás sem criar novas substâncias.

A CVD envolve reacções químicas que consomem materiais antigos e produzem novas substâncias.

Deposição Física de Vapor (PVD): 2 Técnicas Comuns

O que se entende por deposição física de vapor e deposição química de vapor? 5 diferenças fundamentais explicadas

Na PVD, o material a depositar é aquecido até ao seu estado de vapor, normalmente acima do seu ponto de fusão, e depois condensado na superfície alvo.

Este processo não envolve quaisquer reacções químicas.

As técnicas mais comuns de PVD incluem a deposição por evaporação e a deposição por pulverização catódica.

Na deposição por evaporação, o material é aquecido no vácuo até se transformar em vapor, que depois se condensa no substrato.

A deposição por pulverização catódica envolve o bombardeamento de um material alvo com partículas de alta energia para ejetar átomos que depois se depositam no substrato.

A PVD é normalmente utilizada para depositar metais, mas também pode depositar óxidos e semicondutores utilizando técnicas como a evaporação por feixe de electrões, que é normalmente utilizada para revestimentos antirreflexo.

Deposição química em fase vapor (CVD): 3 tipos de processos

A CVD envolve a introdução de gases reagentes numa câmara onde reagem ou se decompõem numa superfície quente para formar produtos sólidos estáveis.

Estas reacções ocorrem diretamente na superfície do substrato, levando à formação de uma película fina.

Os processos de CVD podem ser activados termicamente ou melhorados por plasma.

A CVD reforçada por plasma (PECVD) é normalmente utilizada para depositar dieléctricos como o dióxido de silício e o nitreto de silício.

O processo envolve reacções químicas que consomem precursores gasosos e produzem películas sólidas no substrato.

A CVD é amplamente utilizada na indústria de semicondutores para produzir materiais de alta pureza e alto desempenho.

Comparação e impacto ambiental: 1 diferença fundamental

A principal diferença entre a PVD e a CVD reside no envolvimento de reacções químicas.

A PVD utiliza métodos físicos e não produz novas substâncias, o que a torna praticamente isenta de poluição, o que é cada vez mais preferido numa sociedade ambientalmente consciente.

Por outro lado, a CVD envolve reacções químicas complexas que podem levar à produção de novas substâncias, o que pode ter implicações ambientais.

Tanto a PVD como a CVD são essenciais para várias aplicações industriais, dependendo a sua seleção dos requisitos específicos das propriedades do material e do processo de fabrico.

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