As partes da deposição química de vapor incluem:
1. Sistema de distribuição de gás: Este sistema é responsável pelo transporte dos gases precursores para a câmara do reator. Os precursores utilizados na CVD devem ser suficientemente voláteis e estáveis para serem transportados para o reator.
2. Câmara do reator: É aqui que se realiza o processo de CVD. É concebida para proporcionar as condições necessárias à deposição de películas finas ou revestimentos. A câmara pode incluir elementos como elementos de aquecimento ou fontes de plasma para facilitar as reacções desejadas.
3. Fonte de energia: É utilizada para fornecer a energia necessária à ocorrência das reacções químicas. Pode ser sob a forma de calor, plasma ou outras fontes de energia, consoante o processo CVD específico.
4. Sistema de vácuo: O sistema de vácuo é utilizado para criar e manter as condições de pressão desejadas no interior da câmara do reator. Isto é importante para controlar o fluxo de gás e garantir a qualidade das películas depositadas.
5. Sistema de exaustão: Este sistema é responsável pela remoção dos subprodutos e dos gases não reagidos da câmara do reator. Ajuda a manter um ambiente limpo e controlado no interior da câmara.
Outros componentes que podem estar presentes num sistema CVD incluem um sistema de carga/descarga de substratos, um sistema de controlo automático do processo para monitorizar e controlar os parâmetros do processo e um sistema de tratamento dos gases de escape para tratar os gases residuais gerados durante o processo de deposição.
Globalmente, os vários componentes de um sistema CVD trabalham em conjunto para permitir o transporte de gases precursores, a deposição de películas finas ou revestimentos num substrato e a remoção de subprodutos e gases residuais.
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