A deposição química em fase vapor (CVD) é um processo que funciona normalmente a temperaturas muito elevadas, que variam entre 900°C e 2000°C.
Estas temperaturas elevadas são cruciais para as reacções químicas envolvidas no processo de deposição.
Durante a CVD, os reagentes químicos em fase de vapor reagem para formar uma película sólida sobre um substrato.
A temperatura elevada aumenta a taxa de reação, aumentando o movimento e a frequência de colisão das moléculas de gás.
Isto, por sua vez, facilita o processo de deposição.
No entanto, estas temperaturas elevadas podem colocar vários desafios.
Podem provocar a deformação das peças e alterações na estrutura do material do substrato.
Este facto pode reduzir as propriedades mecânicas do substrato e enfraquecer a ligação entre o substrato e o revestimento.
Estas questões limitam a seleção de substratos e afectam a qualidade da peça de trabalho.
Para responder a estes desafios, existe uma tendência para desenvolver processos CVD de baixa temperatura e alto vácuo.
Os processos CVD modificados, como a deposição de vapor químico enriquecida com plasma (PECVD) ou a deposição de vapor químico assistida por plasma (PACVD), funcionam a temperaturas mais baixas.
Estes processos variam normalmente entre a temperatura ambiente e 350°C.
O PECVD e o PACVD são benéficos porque reduzem a tensão entre camadas de película fina com diferentes coeficientes de expansão térmica.
Isto ajuda a preservar a integridade do dispositivo ou do substrato que está a ser revestido.
Também melhora o desempenho elétrico e a qualidade da ligação.
Em resumo, embora a CVD tradicional funcione a altas temperaturas (600°C a 800°C), os avanços tecnológicos levaram ao desenvolvimento de processos que funcionam a temperaturas significativamente mais baixas.
Estes processos a temperaturas mais baixas são particularmente vantajosos para substratos e dispositivos sensíveis.
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