O processo de fabrico de carboneto de silício (SiC) envolve vários métodos industriais, incluindo sinterização, ligação por reação, crescimento de cristais e deposição química de vapor (CVD). O carboneto de silício é um composto produzido sinteticamente, conhecido pela sua dureza, resistência ao desgaste e propriedades térmicas, o que o torna valioso em várias indústrias.
Sinterização:
O SiC sinterizado é produzido a partir de pó de SiC puro com auxiliares de sinterização não óxidos. O processo envolve a utilização de técnicas convencionais de moldagem de cerâmica e a sinterização do material numa atmosfera inerte a temperaturas até 2000°C ou superiores. Este método resulta num material denso e forte, adequado para aplicações a altas temperaturas.Ligação por reação:
O SiC ligado por reação é produzido por infiltração de compactos de misturas de SiC e carbono com silício líquido. O silício reage com o carbono, formando carboneto de silício adicional, que une as partículas de SiC. Este método é particularmente útil para criar formas e estruturas complexas.
Crescimento de cristais:
Os fabricantes utilizam a deposição de vapor químico para fazer crescer películas de SiC monocristalinas em substratos de bolacha de silício. Este processo envolve várias técnicas que podem introduzir dopantes do tipo n e do tipo p nas películas de SiC, melhorando as suas propriedades eléctricas. Este método é crucial para produzir cristais de SiC de alta qualidade utilizados no fabrico de produtos electrónicos.Deposição de vapor químico (CVD):
A CVD é utilizada para produzir SiC com uma resistência eléctrica muito baixa, tornando-o um condutor razoável de eletricidade. Esta propriedade permite o fabrico de características finas utilizando métodos EDM (Electrical Discharge Machining), que são úteis para gerar pequenos orifícios com rácios de aspeto elevados. O material CVD é também conhecido pela sua baixa densidade, elevada rigidez, dureza extrema e resistência ao desgaste.
Métodos de preparação:
