O método PECVD, ou deposição de vapor químico enriquecida com plasma, é uma técnica utilizada para depositar películas finas de múltiplos materiais num substrato a baixas temperaturas, em comparação com a deposição de vapor químico (CVD) normal. Na PECVD, os gases de origem são decompostos em plasma através de colisões entre electrões energéticos e moléculas de gás. Este processo tem lugar numa câmara de vácuo onde os gases reagentes são introduzidos entre eléctrodos ligados à terra e energizados por RF. O acoplamento capacitivo entre os eléctrodos converte o gás em plasma, conduzindo a uma reação química em que os produtos da reação são depositados no substrato.
A PECVD é diferente da CVD na medida em que utiliza plasma em vez de se basear em superfícies quentes para refletir os produtos químicos no substrato ou à sua volta. A utilização de plasma permite temperaturas de deposição mais baixas, reduzindo a tensão no material e proporcionando um melhor controlo do processo de camada fina e das taxas de deposição. Os revestimentos PECVD têm inúmeras vantagens, incluindo propriedades de superfície melhoradas e melhor desempenho do produto revestido. O processo PECVD funciona normalmente a temperaturas inferiores a 150 graus Celsius e envolve a deposição de películas finas na superfície de uma peça.
Em resumo, o método PECVD é um processo de vácuo que utiliza plasma a baixa temperatura para gerar uma descarga incandescente e depositar películas finas num substrato. Oferece vantagens como temperaturas de deposição mais baixas e um melhor controlo do processo de revestimento.
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