O processo de deposição de película para semicondutores é uma etapa crucial no fabrico de dispositivos electrónicos. Envolve a aplicação de camadas finas de materiais numa bolacha de silício para lhes conferir propriedades eléctricas específicas.
5 Técnicas Principais Explicadas
1. Deposição química em fase vapor (CVD)
A CVD é uma técnica muito utilizada na indústria dos semicondutores. Utiliza precursores gasosos que sofrem uma reação química para formar um revestimento sólido no substrato. Este processo ocorre normalmente numa câmara de reação a alta temperatura. A CVD é versátil e pode criar camadas de materiais dieléctricos (isolantes) e metálicos (condutores) necessários para os dispositivos semicondutores.
2. CVD enriquecida com plasma (PECVD)
A PECVD é uma variante da CVD. Utiliza plasma para melhorar o processo de deposição, tornando possível a formação de camadas isolantes críticas e de estruturas metálicas precisas.
3. CVD com Plasma de Alta Densidade (HDP-CVD)
A HDP-CVD é outra variante da CVD. Utiliza plasma de alta densidade para melhorar a qualidade e o controlo das camadas depositadas.
4. Deposição em camada atómica (ALD)
A ALD é uma variante de alta precisão da CVD. Permite a formação de camadas extremamente finas e uniformes, que são essenciais para os dispositivos semicondutores modernos.
5. Deposição em fase vapor por processo físico (PVD)
Os métodos PVD, como a pulverização catódica, a evaporação térmica e a evaporação por feixe de electrões, são utilizados para produzir revestimentos de elevada pureza. Estas técnicas envolvem o processo físico de ejeção de material de uma fonte e a sua deposição no substrato. A PVD é particularmente útil para aplicações que requerem uma elevada pureza e um controlo preciso da espessura e da composição da camada depositada.
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