O processo CVD à pressão atmosférica (APCVD) é um método de deposição química de vapor que se efectua à pressão atmosférica normal.
É utilizado para a deposição de vários óxidos num substrato.
Num sistema APCVD, a câmara de reação funciona à pressão atmosférica, ou 1 atm.
7 Pontos-chave a saber sobre o processo de CVD à pressão atmosférica
1. Compatibilidade com processos sem vácuo
O processo APCVD é compatível com processos em linha contínuos e sem vácuo.
Isto torna-o adequado para aplicações de fabrico de grande volume e sensíveis ao custo, como o fabrico de células fotovoltaicas.
2. Versatilidade na deposição
Pode ser utilizado para depositar películas epitaxiais de silício e de compostos num reator de parede fria.
Também pode ser utilizado para criar revestimentos metalúrgicos duros como TiC e TiN num reator de parede quente.
3. Elevada taxa de deposição
O processo APCVD tem normalmente uma elevada taxa de deposição.
Isto significa que pode depositar rapidamente uma camada de material numa bolacha ou substrato.
4. Longa vida útil e desempenho ótimo
As películas geradas com esta técnica de deposição têm uma longa vida útil.
Proporcionam um desempenho ótimo em várias aplicações.
5. Comparação com outros processos de CVD
Para além da CVD à pressão atmosférica, existem duas outras categorias de processos CVD: CVD a baixa pressão (LPCVD) e CVD a ultra-alto vácuo (UHVCVD).
O LPCVD funciona a uma pressão subatmosférica, reduzindo a probabilidade de reacções indesejadas da fase de vapor e melhorando a uniformidade da película depositada.
A UHVCVD, por outro lado, é efectuada a uma pressão muito baixa, normalmente inferior a 10-6 Pa.
6. Classificações variadas dos processos CVD
Existem também várias classificações de processos CVD com base no aquecimento do substrato, nas propriedades do material e nos tipos de plasma utilizados.
Estas incluem a CVD assistida por aerossol, a CVD por injeção direta de líquido, a CVD reforçada por plasma, a CVD assistida por plasma de micro-ondas, a CVD híbrida físico-química e a CVD foto-assistida.
7. Versatilidade e eficiência
Globalmente, o processo de CVD à pressão atmosférica é um método versátil e eficiente para depositar películas de óxido em substratos.
Oferece elevadas taxas de deposição e compatibilidade com processos de fabrico contínuos e sem vácuo.
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