A deposição assistida por plasma, especificamente a deposição de vapor químico assistida por plasma (PACVD) e a deposição de vapor químico reforçada por plasma (PECVD), são técnicas avançadas de fabrico utilizadas para depositar películas finas em vários substratos. Estes processos envolvem a utilização de plasma, um estado da matéria constituído por partículas carregadas, para iniciar e manter reacções químicas que resultam na deposição de materiais num substrato. A energia para estas reacções é normalmente fornecida por descargas eléctricas de alta frequência, tais como fontes de radiofrequência, corrente contínua ou micro-ondas.
Resumo do processo:
A deposição assistida por plasma envolve a utilização de plasma para energizar gases reactivos, que depois reagem para formar películas finas num substrato. O plasma é gerado por descargas eléctricas entre eléctrodos numa câmara de vácuo. As partículas energizadas no plasma interagem com os gases precursores, fazendo com que eles se quebrem e reajam, depositando materiais no substrato.
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Explicação pormenorizada:
- Geração de Plasma:
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O processo começa com a geração de plasma dentro de uma câmara de vácuo. Normalmente, isto é conseguido através da aplicação de uma descarga eléctrica entre dois eléctrodos. A energia desta descarga ioniza o gás, criando um plasma constituído por iões, electrões e radicais livres.
- Ativação de gases precursores:
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Os gases precursores, como o silano ou o oxigénio, são introduzidos no plasma. As partículas de alta energia no plasma colidem com estes gases, separando-os e criando espécies reactivas.
- Deposição no substrato:
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Estas espécies reactivas deslocam-se então para o substrato, onde reagem e são absorvidas pela superfície. Isto resulta no crescimento de uma película fina. Os subprodutos químicos destas reacções são dessorvidos e removidos da câmara, completando o processo de deposição.
- Controlo dos parâmetros de deposição:
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As propriedades da película depositada, como a espessura, a dureza e o índice de refração, podem ser controladas através do ajuste de parâmetros como as taxas de fluxo de gás e as temperaturas de funcionamento. Taxas de fluxo de gás mais elevadas aumentam geralmente as taxas de deposição.
- Versatilidade e aplicações:
A deposição assistida por plasma é altamente versátil, capaz de depositar uma vasta gama de materiais, incluindo metais, óxidos, nitretos e polímeros. Pode ser utilizada em objectos de vários tamanhos e formas, tornando-a adequada para inúmeras aplicações em indústrias como a eletrónica, a ótica e o fabrico.Correção e revisão:
