LPCVD significa Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão. É uma técnica utilizada na indústria dos semicondutores para depositar películas finas de vários materiais num substrato. O processo envolve a utilização de gases reactivos a baixas pressões, normalmente inferiores a 133 Pa, e é realizado num ambiente térmico elevado. Este método permite uma excelente uniformidade da película, uniformidade da resistividade e capacidade de preenchimento da cobertura de trincheiras, devido ao aumento do coeficiente de difusão do gás e do intervalo livre médio dentro da câmara de reação. A LPCVD é amplamente utilizada para depositar materiais como o polissilício, o nitreto de silício e o dióxido de silício, entre outros, e é favorecida pela sua capacidade de produzir películas com menos defeitos e uma maior cobertura de degraus, em comparação com as películas cultivadas termicamente. O processo é também notável pela sua precisão no controlo da temperatura, o que contribui para a elevada uniformidade das películas depositadas em diferentes bolachas e séries.
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