Conhecimento O que é a deposição química de vapor no fabrico de semicondutores? (6 pontos-chave)
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Atualizada há 2 meses

O que é a deposição química de vapor no fabrico de semicondutores? (6 pontos-chave)

A deposição de vapor químico (CVD) é uma técnica crucial no fabrico de semicondutores. Envolve a deposição de materiais sobre um substrato através da reação química de precursores gasosos. Este método é amplamente utilizado para depositar películas finas e revestimentos, e é essencial no fabrico de dispositivos semicondutores, nanomateriais e revestimentos protectores.

6 Pontos-chave sobre a deposição química de vapor no fabrico de semicondutores

O que é a deposição química de vapor no fabrico de semicondutores? (6 pontos-chave)

1. Visão geral do processo

Na CVD, o substrato é exposto a precursores voláteis. Estes precursores reagem e depositam-se no substrato para formar o material desejado. Este processo ocorre num ambiente controlado, frequentemente sob vácuo, para garantir uma elevada pureza e uniformidade do material depositado.

2. Aplicações no fabrico de semicondutores

A CVD é amplamente utilizada no fabrico de tecnologia de semicondutores de óxido metálico complementar (CMOS). Os dispositivos CMOS são componentes fundamentais da eletrónica moderna, incluindo microprocessadores e chips de memória. A deposição precisa de materiais nos processos CVD permite a criação destes dispositivos com elevada eficiência e desempenho.

3. Vantagens da CVD

A CVD oferece várias vantagens em relação a outros métodos de deposição. Estas incluem a espessura conforme, a elevada pureza e uma taxa de deposição mais elevada. Estas caraterísticas são cruciais para conseguir a miniaturização dos componentes, uma tendência fundamental na indústria dos semicondutores.

4. Tipos de materiais depositados

A CVD é versátil e pode depositar uma vasta gama de materiais. Estes incluem materiais isolantes, materiais metálicos e materiais de ligas metálicas. Por exemplo, as películas de nitreto de silício (Si3N4) são normalmente depositadas por CVD através da reação de silano e azoto.

5. Comparação com a deposição em fase vapor por processo físico (PVD)

Ao contrário da PVD, que não envolve reacções químicas e se baseia na condensação de vapores no substrato, a CVD envolve reacções químicas na superfície da bolacha. Esta diferença permite à CVD depositar materiais que são difíceis de obter por PVD, como certos dieléctricos e ligas complexas.

6. Impacto no mercado e na indústria

O aumento global da indústria de semicondutores e do fabrico de componentes electrónicos impulsionou significativamente a procura da tecnologia CVD. A capacidade da tecnologia CVD para produzir películas finas de forma homogénea é essencial para a miniaturização e a melhoria do desempenho dos dispositivos semicondutores.

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