No PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), são utilizados vários gases, consoante a aplicação específica e a composição da película pretendida. Alguns dos gases normalmente utilizados incluem:
1. Silano (SiH4): O silano é um gás precursor frequentemente utilizado nos processos PECVD para depositar películas à base de silício, como o nitreto de silício e o óxido de silício. É misturado com outros gases para controlar as propriedades da película.
2. Amoníaco (NH3): O amoníaco é outro gás precursor utilizado nos processos PECVD. É normalmente utilizado em combinação com silano para depositar películas de nitreto de silício. O amoníaco ajuda a controlar o teor de azoto na película.
3. Árgon (Ar): O árgon é um gás inerte que é frequentemente utilizado como gás de arrastamento ou gás diluente nos processos PECVD. É misturado com gases precursores para controlar a reação e assegurar uma deposição uniforme da película.
4. Azoto (N2): O azoto é outro gás inerte que pode ser utilizado nos processos PECVD. É normalmente utilizado como gás de transporte ou gás diluente para controlar a reação e evitar reacções indesejáveis em fase gasosa.
5. Metano (CH4), Etileno (C2H4) e Acetileno (C2H2): Estes gases hidrocarbonetos são utilizados em processos PECVD para o crescimento de nanotubos de carbono (CNTs). São dissociados pelo plasma para gerar produtos de carbono amorfo. Para evitar a formação de produtos amorfos, estes gases são normalmente diluídos com árgon, hidrogénio ou amoníaco.
É importante notar que as combinações específicas de gases e os parâmetros do processo podem variar em função das propriedades desejadas da película, do material do substrato e da configuração do equipamento. Os gases mencionados acima são apenas alguns exemplos normalmente utilizados nos processos PECVD.
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