A deposição de vapor químico (CVD) é um processo que utiliza normalmente metais como o silício, o tungsténio e o titânio.
Estes metais são utilizados em várias formas, incluindo os seus óxidos, carbonetos, nitretos e outros compostos.
3 Principais Metais Explicados
1. Silício
O silício é um metal essencial utilizado na CVD.
É frequentemente utilizado em formas como o dióxido de silício (SiO2), o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de silício (Si3N4).
O dióxido de silício é frequentemente utilizado no fabrico de semicondutores devido às suas excelentes propriedades isolantes.
É normalmente depositado por deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD).
O carboneto de silício e o nitreto de silício são utilizados pela sua dureza e estabilidade térmica, o que os torna adequados para várias aplicações industriais.
2. Tungsténio
O tungsténio é outro metal utilizado nos processos de CVD.
É particularmente utilizado na indústria de semicondutores para fazer contactos e interligações devido ao seu elevado ponto de fusão e baixa resistividade.
A CVD de tungsténio envolve a utilização de hexafluoreto de tungsténio (WF6) como precursor.
Este reage com o hidrogénio para depositar o tungsténio no substrato.
3. Nitreto de titânio
O nitreto de titânio (TiN) é utilizado em CVD pelas suas propriedades de material duro e bom condutor elétrico.
É frequentemente utilizado como barreira de difusão em dispositivos semicondutores.
O nitreto de titânio é também utilizado como revestimento de ferramentas para aumentar a sua durabilidade e resistência ao desgaste.
Estes metais e os seus compostos são selecionados para a CVD devido às suas propriedades específicas que os tornam adequados para várias aplicações em eletrónica, ótica e outras indústrias de alta tecnologia.
O processo CVD permite um controlo preciso da deposição destes materiais, garantindo revestimentos e películas uniformes e de elevada qualidade.
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