A deposição de vapor químico (CVD) utiliza normalmente metais como o silício, o tungsténio e o titânio nos seus processos. Estes metais são utilizados em várias formas, incluindo os seus óxidos, carbonetos, nitretos e outros compostos.
Silício: O silício é um metal essencial utilizado na CVD, frequentemente sob formas como o dióxido de silício (SiO2), o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de silício (Si3N4). O dióxido de silício é frequentemente utilizado no fabrico de semicondutores devido às suas excelentes propriedades isolantes e é normalmente depositado utilizando a deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD). O carboneto de silício e o nitreto de silício são utilizados pela sua dureza e estabilidade térmica, o que os torna adequados para várias aplicações industriais.
Tungsténio: O tungsténio é outro metal utilizado nos processos CVD, particularmente na indústria de semicondutores para fazer contactos e interligações devido ao seu elevado ponto de fusão e baixa resistividade. A CVD de tungsténio envolve a utilização de hexafluoreto de tungsténio (WF6) como precursor, que reage com o hidrogénio para depositar tungsténio no substrato.
Nitreto de titânio: O nitreto de titânio (TiN) é utilizado em CVD pelas suas propriedades como material duro e bom condutor elétrico. É frequentemente utilizado como barreira de difusão em dispositivos semicondutores e como revestimento de ferramentas para aumentar a sua durabilidade e resistência ao desgaste.
Estes metais e os seus compostos são seleccionados para CVD devido às suas propriedades específicas que os tornam adequados para várias aplicações em eletrónica, ótica e outras indústrias de alta tecnologia. O processo CVD permite um controlo preciso da deposição destes materiais, garantindo revestimentos e películas uniformes e de alta qualidade.
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