A deposição térmica de vapor químico (TCVD) é um método utilizado para o crescimento de películas finas.
Utiliza temperaturas elevadas para ativar reacções químicas.
Este processo envolve a deposição de uma película sólida numa superfície aquecida devido a reacções químicas na fase de vapor.
O TCVD inclui várias tecnologias, como a deposição de vapor químico orgânico metálico, a deposição de vapor químico de cloreto e a deposição de vapor químico de hidreto.
O que é o processo de deposição térmica de vapor químico? (4 métodos principais explicados)
1. Método de transporte químico
Neste método, o material para a película fina reage com outra substância na área de origem para produzir um gás.
Este gás é então transportado para a área de crescimento onde sofre uma reação térmica para formar o material desejado.
A reação direta ocorre durante o processo de transporte e a reação inversa ocorre durante o processo de crescimento do cristal.
2. Método de pirólise
Este método envolve o transporte de substâncias voláteis que contêm os elementos da película para a área de crescimento.
Gera as substâncias necessárias através de reacções de decomposição térmica.
A temperatura de crescimento para este método varia tipicamente entre 1000 e 1050 graus Celsius.
Etapas gerais envolvidas no TCVD
Evaporação de um composto volátil
A substância a ser depositada é primeiro evaporada, transformando-se num vapor.
Decomposição térmica ou reação química
O vapor sofre uma decomposição térmica em átomos e moléculas, ou reage com outros vapores, líquidos ou gases no substrato.
Deposição de produtos de reação não voláteis
Os produtos não voláteis da reação são então depositados no substrato.
Condições do processo
Este processo requer normalmente pressões que vão desde alguns torr até acima da pressão atmosférica.
Também requer temperaturas relativamente altas, cerca de 1000°C.
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