A taxa de deposição da evaporação por feixe de electrões é um fator crucial para a eficiência do processo.
Esta taxa pode variar significativamente, indo de 0,1 nm por minuto a 100 nm por minuto.
A elevada taxa de deposição deve-se principalmente à transferência direta de energia do feixe de electrões para o material alvo.
Este método é particularmente eficaz para metais com pontos de fusão elevados.
O processo envolve a utilização de um feixe de electrões focalizado para aquecer e evaporar metais.
A temperatura dos electrões durante este processo é normalmente de cerca de 3000 °C.
É utilizada uma fonte de tensão contínua de 100 kV para acelerar os electrões em direção ao material alvo.
Este aquecimento localizado no local de bombardeamento do feixe, na superfície da fonte, assegura uma contaminação mínima.
Quando os electrões aquecidos atingem o material da fonte, a sua energia cinética é convertida em energia térmica.
Esta energia térmica aquece a superfície da fonte, levando à produção de vapor.
Quando as temperaturas são suficientemente elevadas, o vapor é produzido e reveste a superfície do substrato.
O processo é altamente controlável e repetível.
É também compatível com a utilização de uma fonte de iões para melhorar as caraterísticas de desempenho da película fina.
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