A deposição química de vapor (CVD) é um processo utilizado para depositar películas finas e revestimentos de elevada qualidade num substrato, utilizando precursores gasosos ou de vapor num ambiente sob vácuo. O processo envolve três fases principais: difusão do gás de reação na superfície do substrato, adsorção do gás de reação na superfície do substrato e reação química na superfície do substrato para formar um depósito sólido. Os subprodutos resultantes da fase de vapor são então libertados da superfície do substrato.
O material de deposição, que pode variar consoante o projeto, mistura-se com uma substância precursora, frequentemente um halogeneto ou hidreto, que prepara e transporta o material de deposição para o substrato ou para a superfície pretendida. Esta combinação entra numa câmara de vácuo, onde o material de deposição forma uma camada uniforme sobre o substrato, e o precursor decompõe-se e sai por difusão.
A CVD é vantajosa devido à sua capacidade de depositar uma grande variedade de materiais, incluindo películas metálicas, películas não metálicas, películas de ligas multicomponentes e camadas de cerâmica ou compostos. O processo pode ser efectuado à pressão atmosférica ou a baixo vácuo, permitindo boas propriedades de envolvimento e revestimento uniforme de superfícies com formas complexas ou orifícios profundos ou finos na peça de trabalho. Além disso, a CVD produz revestimentos com elevada pureza, boa densidade, baixa tensão residual e boa cristalização.
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