O processo de deposição HDP, especificamente a deposição de vapor químico de plasma de alta densidade (HDP-CVD), é uma técnica sofisticada utilizada na indústria de semicondutores para depositar películas finas a baixas temperaturas.
Este processo é particularmente eficaz para preencher fendas e orifícios em dispositivos microelectrónicos, melhorando a qualidade e a fiabilidade das películas.
O que é o processo de deposição HDP? 4 pontos-chave explicados
1. Utilização de Plasma de Alta Densidade
O HDP-CVD utiliza um plasma de alta densidade, normalmente gerado por uma fonte de plasma indutivamente acoplado (ICP).
Esta fonte de plasma está localizada fora da câmara de reação, reduzindo o risco de contaminação dos materiais dos eléctrodos.
A elevada densidade do plasma aumenta as taxas de reação e permite uma decomposição mais eficiente dos precursores, conduzindo a uma melhor qualidade da película.
2. Deposição e gravação simultâneas
Uma das principais inovações do HDP-CVD é a capacidade de efetuar simultaneamente a deposição e a gravação na mesma câmara.
Esta dupla funcionalidade é crucial para o preenchimento de lacunas de elevado rácio de aspeto sem produzir vazios ou "pinch-offs".
O processo de gravação ajuda a remover o excesso de material e a manter um controlo preciso da espessura e uniformidade da película.
3. Versatilidade e eficiência de custos
O sistema HDP-CVD pode ser convertido num sistema ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) para gravação por plasma.
Esta dupla capacidade reduz a necessidade de equipamento separado para deposição e gravação, tornando-o uma escolha mais económica para as instalações de fabrico de semicondutores.
4. Aplicações e materiais
A HDP-CVD é normalmente utilizada para depositar óxidos de silício dopados e não dopados, nitretos de silício e outros materiais cruciais para o fabrico de dispositivos microelectrónicos.
As baixas temperaturas de deposição tornam-no adequado para o revestimento de substratos sensíveis à temperatura, garantindo a integridade das estruturas subjacentes.
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