A deposição de vapor químico ativado por plasma (PACVD) é uma técnica especializada dentro da categoria mais vasta da deposição de vapor químico (CVD).
Utiliza o plasma para aumentar a reatividade química dos gases, permitindo a deposição de películas finas a temperaturas mais baixas.
Este método envolve a ionização de gás perto da superfície do substrato através de uma descarga incandescente, que ativa o gás de reação e promove reacções químicas termoquímicas e de plasma.
4 Pontos-chave explicados
1. Ativação do gás
Num sistema PACVD, o gás de reação é introduzido numa câmara a pressões que variam entre 1 e 600 Pa.
O substrato, frequentemente colocado num cátodo, é mantido a uma temperatura específica.
Inicia-se uma descarga luminescente, que ioniza o gás perto da superfície do substrato, aumentando a sua reatividade química.
2. Reacções químicas
O gás ativado é submetido a reacções termoquímicas, típicas dos processos CVD, e a reacções químicas de plasma, exclusivas do PACVD.
Estas reacções são facilitadas pela elevada energia do plasma, que inclui iões, electrões livres e radicais.
Este mecanismo duplo permite a deposição de películas com propriedades controladas, como a densidade e a adesão.
3. Vantagens
A PACVD oferece várias vantagens em relação à CVD convencional, incluindo temperaturas de deposição mais baixas, um impacto mínimo nas propriedades do substrato e a capacidade de formar películas densas e sem orifícios.
É versátil, capaz de depositar vários tipos de películas, incluindo películas metálicas, inorgânicas e orgânicas.
4. Aplicações
A capacidade de depositar películas a temperaturas mais baixas e com um controlo preciso das propriedades das películas torna o PACVD adequado para uma vasta gama de aplicações.
Estas aplicações vão desde o fabrico de semicondutores até ao revestimento de dispositivos e ferramentas médicas.
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