Conhecimento Como funciona a evaporação por feixe de electrões?
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Atualizada há 1 semana

Como funciona a evaporação por feixe de electrões?

A evaporação por feixe de electrões, uma forma de deposição física de vapor (PVD), utiliza um feixe focalizado de electrões de alta energia para aquecer e evaporar materiais de origem, permitindo a deposição de revestimentos finos e de elevada pureza em substratos. Este processo é diferente do sputtering, que utiliza iões energéticos para ejetar material de um alvo.

Mecanismo de evaporação por feixe de electrões:

Neste processo, um campo elétrico de alta tensão (normalmente até 10 kV) acelera os electrões emitidos por um filamento de tungsténio aquecido. Estes electrões adquirem uma elevada energia cinética e são depois focados num feixe por um campo magnético. O feixe é dirigido para um cadinho que contém o material a evaporar. Após o impacto, a energia cinética dos electrões é convertida em energia térmica, que aquece o material até ao seu ponto de evaporação.

  1. Detalhes do processo:Emissão de electrões:
  2. A corrente é passada através de um filamento de tungsténio, causando aquecimento joule e emissão de electrões.Formação e aceleração do feixe:
  3. É aplicada uma alta tensão entre o filamento e o cadinho, acelerando os electrões emitidos. Um campo magnético concentra estes electrões num feixe unificado.Evaporação do material:
  4. O feixe de electrões atinge o material no cadinho, transferindo energia e fazendo com que o material se evapore ou sublime.Deposição:

O material evaporado viaja através da câmara de vácuo e deposita-se num substrato posicionado acima da fonte. O resultado é uma película fina, normalmente com uma espessura entre 5 e 250 nanómetros, que pode alterar as propriedades do substrato sem afetar significativamente as suas dimensões.Vantagens e aplicações:

A evaporação por feixe de electrões é particularmente eficaz na produção de revestimentos densos e de elevada pureza. É versátil, capaz de depositar uma vasta gama de materiais, incluindo metais, semicondutores e alguns dieléctricos. O processo pode também ser adaptado para a deposição reactiva através da introdução de uma pressão parcial de gases reactivos como o oxigénio ou o azoto na câmara, permitindo a formação de películas não metálicas.

Conclusão:

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