A deposição em camada atómica (ALD) é uma técnica sofisticada que permite obter uma deposição conforme. Isto significa que pode revestir superfícies uniformemente, mesmo em geometrias complexas e superfícies curvas.
Porque é que a ALD consegue uma deposição conformacional? 4 razões principais explicadas
1. Reacções auto-limitantes
A ALD baseia-se em reacções auto-limitantes entre os reagentes gasosos e a superfície sólida. Isto significa que as reacções são controladas de forma a que apenas uma monocamada de material seja depositada de cada vez. Os reagentes são introduzidos no reator, um de cada vez, e reagem com a superfície até que todos os sítios reactivos estejam ocupados. Esta natureza auto-limitada garante que o processo de deposição pára quando a superfície está totalmente coberta, resultando num revestimento conforme.
2. Controlo preciso da espessura
A ALD oferece um controlo preciso da espessura ao nível da submonocamada. Os reagentes são injectados na câmara de forma alternada, nunca em simultâneo. Esta pulsação controlada permite um controlo preciso da espessura da película depositada. Ao ajustar o número de ciclos, a espessura da película pode ser controlada com precisão, permitindo uma deposição uniforme e conforme.
3. Excelente cobertura por fases
A ALD proporciona uma excelente cobertura por fases. A cobertura por etapas refere-se à capacidade de um processo de deposição para revestir uniformemente superfícies com geometrias complexas, incluindo topografias de elevado rácio de aspeto e superfícies curvas. A ALD é altamente eficaz no revestimento de tais superfícies devido à sua capacidade de depositar filmes de forma uniforme e conforme, mesmo em substratos curvos. Este facto torna a ALD adequada para uma vasta gama de aplicações, incluindo engenharia de semicondutores, MEMS, catálise e nanotecnologia.
4. Elevada reprodutibilidade e qualidade da película
A ALD garante uma elevada reprodutibilidade e qualidade de película. A natureza auto-limitada e auto-montada do mecanismo ALD conduz ao controlo estequiométrico e à qualidade inerente da película. O controlo preciso do processo de deposição e a utilização de substratos puros contribuem para as propriedades desejadas da película. Isto faz da ALD um método fiável para produzir películas nano-finas altamente uniformes e conformes.
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