A deposição química em fase vapor (CVD) é um processo químico utilizado para produzir materiais sólidos de elevada pureza e elevado desempenho, frequentemente sob a forma de películas finas.
O processo envolve a exposição de um substrato a um ou mais precursores voláteis.
Estes precursores reagem e/ou decompõem-se na superfície do substrato para produzir o depósito desejado.
Os subprodutos são normalmente removidos por fluxo de gás através da câmara de reação.
4 Pontos-chave sobre a deposição química em fase vapor
1. Princípio
A CVD utiliza substâncias gasosas ou de vapor para reagir na fase gasosa ou na interface gás-sólido.
Isto resulta em depósitos sólidos num substrato.
2. Processo
O processo CVD consiste em três fases principais:
- Difusão do gás de reação na superfície do substrato.
- Adsorção do gás de reação na superfície do substrato.
- Reação química na superfície do substrato para formar um depósito sólido.
Os subprodutos são libertados da superfície do substrato.
As reacções mais comuns incluem a decomposição térmica, a síntese química e o transporte químico.
3. Caraterísticas
A CVD oferece uma grande variedade de depósitos, incluindo películas metálicas, películas não metálicas, películas de ligas multicomponentes e camadas de cerâmica ou de compostos.
O processo pode ser efectuado à pressão atmosférica ou a baixo vácuo.
Isto permite um revestimento uniforme em superfícies com formas complexas.
Os revestimentos CVD caracterizam-se por uma elevada pureza, boa densidade, baixa tensão residual e boa cristalização.
4. Aplicações e variações
A CVD é utilizada para produzir uma vasta gama de materiais em diferentes composições e formas, tais como carbonetos, nitretos, oxinitretos e várias formas de carbono.
O processo é adaptável a diferentes microestruturas, como a monocristalina, a policristalina e a amorfa.
A CVD é também utilizada na produção de polímeros para aplicações em dispositivos biomédicos, placas de circuitos e revestimentos duradouros.
O processo é classificado em CVD de pressão atmosférica, CVD de baixa pressão e CVD de ultra-alto vácuo, com classificações adicionais baseadas no aquecimento do substrato, nas propriedades do material e nos tipos de plasma utilizados.
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