Os diferentes tipos de recozimento em semicondutores incluem o recozimento com azoto, o recozimento com gás de formação, o recozimento térmico rápido, o recozimento por difusão e o recozimento geral.
1. Recozimento com azoto: Neste processo, o gás nitrogénio puro flui através da câmara que contém os wafers. É utilizado para modificar a microestrutura do material semicondutor e melhorar as suas propriedades.
2. Recozimento com gás de formação: Este processo é semelhante ao recozimento com azoto, mas envolve a utilização de um gás de formação, que é uma mistura de azoto e hidrogénio. O recozimento com gás de formação é também utilizado para modificar a microestrutura e as propriedades do material semicondutor.
3. Recozimento térmico rápido: Este processo envolve o aquecimento de uma única bolacha de cada vez a uma temperatura elevada durante um curto período de tempo. É utilizado para afetar as propriedades eléctricas do material semicondutor.
4. Recozimento por difusão: O recozimento por difusão é efectuado a temperaturas muito elevadas e durante longos períodos de tempo. É utilizado para eliminar as não homogeneidades estruturais ou as diferenças de concentração no material semicondutor. Este processo aumenta a força e a resistência à corrosão do material.
Para além destes tipos específicos de recozimento, existe também um processo geral de recozimento que é utilizado para aliviar tensões internas, melhorar a uniformidade e a estrutura interna do material semicondutor e aumentar a sua ductilidade. Este processo geral de recozimento envolve o aquecimento do material acima da sua temperatura de recristalização, a manutenção de uma temperatura adequada durante um período específico e, em seguida, o seu arrefecimento.
Em geral, a escolha da técnica de recozimento depende do tipo de material e das propriedades desejadas da pastilha semicondutora.
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