Para criar plasma no método de Deposição Física de Vapor (PVD), é necessário um gás com propriedades específicas. O gás deve ser capaz de ser ionizado facilmente e não deve reagir quimicamente com o material alvo. O gás árgon é normalmente utilizado para este fim devido à sua natureza inerte e peso atómico adequado.
Gás árgon em PVD:
O árgon é um gás inerte, o que significa que não se combina quimicamente com outros átomos ou compostos. Esta propriedade é crucial no PVD porque assegura que o material de revestimento permanece puro quando transita para a fase de vapor na câmara de vácuo. A utilização de árgon no processo de pulverização catódica, um método comum em PVD, é particularmente vantajosa porque o seu peso atómico é suficiente para afetar os átomos do material alvo sem provocar quaisquer reacções químicas. Isto permite a transferência eficiente do vapor do material alvo para o substrato sem contaminação.Geração de plasma em PVD:
Na PVD, o plasma é normalmente gerado pela aplicação de uma tensão a eléctrodos num gás a baixas pressões. Este processo pode ser facilitado por vários tipos de fontes de energia, como a radiofrequência (RF), as frequências médias (MF) ou a corrente contínua (DC). A energia destas fontes ioniza o gás, formando electrões, iões e radicais neutros. No caso do árgon, o processo de ionização é crucial para criar o meio de plasma necessário para o processo de pulverização catódica. O plasma aumenta a eficiência da deposição, promovendo reacções químicas e criando sítios activos nos substratos, que são essenciais para a formação de películas finas com as propriedades desejadas.
Papel do plasma no revestimento PVD: