O equipamento MOCVD é uma ferramenta especializada utilizada para a deposição de materiais monocristalinos finos.
É utilizado principalmente no fabrico de semicondutores compostos.
O processo funciona através da epitaxia em fase de vapor, utilizando compostos e hidretos metal-orgânicos como materiais de origem.
O que é o equipamento MOCVD? 4 pontos-chave para compreender
1. Materiais de origem e processo
O MOCVD utiliza compostos orgânicos de elementos dos grupos III e II.
Também utiliza hidretos de elementos dos grupos V e VI.
Estes materiais são introduzidos na câmara de reação onde sofrem decomposição térmica.
A decomposição resulta na deposição de vários semicondutores compostos Ⅲ-V e Ⅱ-VI e suas soluções sólidas multicamadas como materiais finos de cristal único no substrato.
2. Metodologia e funcionalidade
O processo MOCVD envolve a utilização de compostos metal-orgânicos como precursores.
Estes precursores são introduzidos na câmara de reação.
São decompostos termicamente ou activados por outros meios, como o plasma ou a luz.
O centro metálico reage com outras moléculas precursoras ou com o substrato para formar o material desejado.
Os ligandos orgânicos são libertados como subprodutos.
Este método permite um controlo preciso da composição e dos níveis de dopagem nas películas depositadas.
É particularmente útil para aplicações que exigem elevada precisão e qualidade.
3. Aplicação e controlo
O MOCVD é amplamente utilizado na produção de dispositivos como os LED de alto brilho (HBLED) e outros dispositivos semicondutores compostos.
O processo é controlado através de instrumentos avançados que monitorizam e ajustam parâmetros como a temperatura do suporte da bolacha/da ranhura, a espessura da película, a tensão da película/curvatura da bolacha e as medições da superfície.
Este feedback em tempo real garante um elevado rendimento e reprodutibilidade, essenciais para as aplicações industriais.
4. Caraterísticas técnicas
Ao contrário de outras técnicas de CVD, a MOCVD introduz reagentes através de um borbulhador.
O borbulhador passa o gás de transporte através de um líquido metalorgânico aquecido.
Este método garante que a concentração da fonte de MO é controlada e reprodutível.
Aumenta a eficiência e a fiabilidade do processo de deposição.
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