A velocidade da PECVD (deposição de vapor químico enriquecida com plasma) é notavelmente elevada, com taxas de deposição que variam entre 1 e 10 nm/s ou mais, significativamente mais rápidas do que as técnicas tradicionais baseadas no vácuo, como a PVD (deposição de vapor físico). Por exemplo, a taxa de deposição de nitreto de silício (Si3N4) utilizando PECVD a 400°C é de 130Å/s, em comparação com 48Å/min para LPCVD (Deposição Química de Vapor a Baixa Pressão) a 800°C, que é aproximadamente 160 vezes mais lenta.
O PECVD atinge estas elevadas taxas de deposição utilizando o plasma para fornecer a energia necessária à ocorrência de reacções químicas, em vez de se basear apenas no aquecimento do substrato. Esta ativação por plasma dos gases precursores na câmara de vácuo promove a formação de películas finas a temperaturas mais baixas, normalmente entre a temperatura ambiente e cerca de 350°C. A utilização de plasma na PECVD não só acelera o processo de deposição, como também permite o revestimento de substratos a temperaturas mais baixas, o que é benéfico para materiais que não suportam tensões térmicas elevadas.
As elevadas taxas de deposição do PECVD tornam-no uma escolha preferencial para aplicações que requerem uma deposição rápida e eficiente de películas finas, especialmente quando se trata de materiais sensíveis a temperaturas elevadas ou quando são necessários ciclos de produção rápidos. Esta eficiência na deposição é um fator chave na fiabilidade e rentabilidade da PECVD como tecnologia de fabrico.
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